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1. WO2020201860 - CIRCUIT LOGIQUE CONFIGURÉ À L'AIDE DE TRANSISTORS UNIPOLAIRES, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/201860
Date de publication 08.10.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2020/052186
Date du dépôt international 12.03.2020
CIB
H01L 21/8234 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H03K 19/0185 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
0185utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03K 19/094 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
02utilisant des éléments spécifiés
08utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
094utilisant des transistors à effet de champ
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 井上広樹 INOUE, Hiroki
  • 上妻宗広 KOZUMA, Munehiro
  • 青木健 AOKI, Takeshi
  • 深井修次 FUKAI, Shuji
  • 赤澤史佳 AKASAWA, Fumika
  • 長尾祥 NAGAO, Sho
Données relatives à la priorité
2019-06678529.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LOGIC CIRCUIT CONFIGURED USING UNIPOLAR TRANSISTORS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CIRCUIT LOGIQUE CONFIGURÉ À L'AIDE DE TRANSISTORS UNIPOLAIRES, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device which is configured using unipolar transistors, in which no steady-state current flows, and which is capable of representing high level or low level using a high power supply potential and a low power supply potential. The semiconductor device comprises a plurality of unipolar transistors, capacitive elements, first and second input terminals, and an output terminal. The second input terminal is fed with the input of a signal with a logic inverted from that of a signal inputted to the first input terminal. In the semiconductor device, which has a bootstrap circuit configuration in which two unipolar transistors are connected in series between the high power supply potential and the low power supply potential and a capacitance is provided between the output terminal and the gate of one transistor, a delay is caused between signals output from the gate of the transistor and the output terminal, whereby reliable bootstrapping can be performed.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui est configuré à l'aide de transistors unipolaires, dans lequel aucun courant à régime permanent ne circule, et qui permet de représenter un niveau élevé ou un niveau faible à l'aide d'un potentiel d'alimentation électrique élevé et d'un potentiel d'alimentation électrique faible. Le dispositif à semi-conducteurs comprend une pluralité de transistors unipolaires, des éléments capacitifs, des première et seconde bornes d'entrée, et une borne de sortie. L'entrée d'un signal est fournie à la seconde borne d'entrée selon une logique inversée par rapport à celle d'un signal entré au niveau de la première borne d'entrée. Dans le dispositif à semi-conducteurs, qui a une configuration de circuit d'amorçage dans laquelle deux transistors unipolaires sont connectés en série entre le potentiel d'alimentation électrique élevé et le potentiel d'alimentation électrique faible et une capacité est disposée entre la borne de sortie et la grille d'un transistor, un délai est provoqué entre des signaux sortant à partir de la grille du transistor et de la borne de sortie, moyennant quoi un amorçage fiable peut être réalisé.
(JA)
単極性トランジスタを用いて構成され、定常電流が流れず、高電源電位および低電源電位を用いてハイレベルまたはローレベルを表すことができる、半導体装置を提供する。 半導体装置は、複数の単極性トランジスタと、容量素子と、第1および第2入力端子と、出力端子とを有し、第2入力端子には、第1入力端子に入力される信号とは論理が反転された信号が入力される。高電源電位と低電源電位との間に単極性トランジスタ2個が直列接続され、出力端子と一方のトランジスタのゲートとの間に容量が設けられたブートストラップと呼ばれる回路構成であるが、前記トランジスタのゲートと出力端子から出力される信号に遅延を生じさせることで、確実なブートストラップを行うことができる。
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