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1. WO2020195214 - MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2020/195214
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/004574
Date du dépôt international 06.02.2020
CIB
H01L 27/11507 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11502avec condensateurs ferro-électriques de mémoire
11507caractérisées par la région noyau de mémoire
G11C 11/22 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
22utilisant des éléments ferro-électriques
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 奥野 潤 OKUNO, Jun
  • 小林 俊之 KOBAYASHI, Toshiyuki
Mandataires
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
Données relatives à la priorité
2019-05426722.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FERROELECTRIC MEMORY AND MEMORY ELEMENT THEREFOR
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ASSOCIÉ
(JA) 強誘電体メモリおよびそのメモリ素子
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to lower the applied voltage required when writing and reading a ferroelectric memory. This ferroelectric capacitor is provided with a ferroelectric film, and an upper electrode and a lower electrode which are respectively formed on top and bottom of the ferroelectric film and are made of material with different work functions. A transistor connects to the upper electrode or the lower electrode to select the ferroelectric capacitor. When reading and writing, a drive control unit applies to the ferroelectric film a voltage lower than when erasing by a predetermined potential difference.
(FR)
L'objet de la présente invention est de réduire la tension appliquée nécessaire lors de l'écriture et de la lecture d'une mémoire ferroélectrique. Ce condensateur ferroélectrique est pourvu d'un film ferroélectrique, et d'une électrode supérieure ainsi que d'une électrode inférieure qui sont respectivement formées sur le dessus et le dessous du film ferroélectrique et sont constituées d'un matériau ayant différentes fonctions de travail. Un transistor se connecte à l'électrode supérieure ou à l'électrode inférieure pour sélectionner le condensateur ferroélectrique. Lors de la lecture et de l'écriture, une unité de commande d'entraînement applique au film ferroélectrique une tension inférieure à celle appliquée lors de l'effacement par une différence de potentiel prédéterminée.
(JA)
強誘電体メモリにおいて、書込み時および読出し時に要する印加電圧の低電圧化を図る。 強誘電体キャパシタは、強誘電体膜と、強誘電体膜の上下に形成された互いに仕事関数が異なる材料からなる上部電極および下部電極とを備える。トランジスタは、上部電極および下部電極の何れかに接続して、強誘電体キャパシタを選択する。駆動制御部は、書込み時および読出し時には消去時よりも所定の電位差だけ低い電圧を強誘電体膜に印加する。
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