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1. WO2020195197 - SUBSTRAT COMPOSITE AU SIC ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/195197
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/004321
Date du dépôt international 05.02.2020
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C30B 29/36 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36Carbures
Déposants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 松島 潔 MATSUSHIMA Kiyoshi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 宮風 里紗 MIYAKAZE Risa
Mandataires
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
Données relatives à la priorité
2019-06150327.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SIC COMPOSITE SUBSTRATE AND COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE AU SIC ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板
Abrégé
(EN)
Provided is a SiC composite substrate in which delamination, fracture, or cracks of the substrate do not tend to occur when subjected to grinding, polishing and other processes. This SiC composite substrate comprises a biaxially oriented SiC layer in which SiC is oriented in a c-axis direction and an a-axis direction, and a SiC polycrystalline layer that is provided on one surface of the biaxially oriented SiC layer. The bonded interface of the biaxially oriented SiC layer and the SiC polycrystalline layer has surface irregularities, and the volume of the irregularities is 1 to 200 μm.
(FR)
L'invention concerne un substrat composite au SiC dans lequel un délaminage, une fracture ou des fissures du substrat n'ont pas tendance à se produire lorsqu'il est soumis à un meulage, un polissage et d'autres processus. Ce substrat composite au SiC comprend une couche de SiC à orientation biaxiale dans laquelle du SiC est orienté dans une direction d'axe c et une direction d'axe a, et une couche de SiC polycristallin qui est disposée sur une surface de la couche de SiC à orientation biaxiale. L'interface de liaison de la couche de SiC à orientation biaxiale et de la couche de SiC polycristallin présente des irrégularités de surface, et le volume des irrégularités est de 1 à 200 µm.
(JA)
研削及び研磨等の加工を施しても、基板の層間剥離、割れ及びクラックが生じにくい、SiC複合基板が提供される。このSiC複合基板は、SiCがc軸方向及びa軸方向ともに配向している二軸配向SiC層と、二軸配向SiC層の一面側に設けられるSiC多結晶層とを備えたものであり、二軸配向SiC層及びSiC多結晶層の接合界面が凹凸形状を有し、該凹凸形状の凹凸量が1~200μmである。
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