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1. WO2020194434 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME

Numéro de publication WO/2020/194434
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/012443
Date du dépôt international 25.03.2019
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中谷 一夫 NAKAYA Kazuo
Mandataires
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
Abrégé
(EN)
Provided is a technology configured such that a pressure controller: fully opens a first pressure adjustment valve disposed in a bypass line and reduces the pressure in a processing chamber wherein a substrate is processed from atmospheric pressure to a second prescribed pressure; adjusts the degree of opening of the first pressure adjustment valve and maintains the second prescribed pressure; fully opens the first pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a first prescribed pressure which is lower than the second prescribed pressure; at the time at which the first prescribed pressure is reached, detects the pressure in the processing chamber in a state of at least the first pressure adjustment valve and a second pressure adjustment valve disposed in an exhaust line being closed for a first prescribed time; fully opens the second pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a third prescribed pressure; and adjusts the degree of opening of the second pressure adjustment valve and maintains a processing pressure at which the substrate is processed.
(FR)
L'invention porte sur une technologie configurée de telle sorte qu'un contrôleur de pression effectue les opérations suivantes : ouvre complètement une première vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite de dérivation et réduit la pression dans une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité de la pression atmosphérique à une deuxième pression prescrite ; ajuste le degré d'ouverture de la première vanne de réglage de la pression et maintient la deuxième pression prescrite ; ouvre complètement la première vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une première pression prescrite qui est inférieure à la deuxième pression prescrite ; au moment où la première pression prescrite est atteinte, détecte la pression dans la chambre de traitement dans un état où au moins la première vanne de réglage de la pression et une seconde vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite d'échappement sont fermées pendant un premier temps prescrit ; ouvre complètement la seconde vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une troisième pression prescrite ; et ajuste le degré d'ouverture de la seconde vanne de réglage de la pression et maintient une pression de traitement à laquelle le substrat est traité.
(JA)
圧力制御コントローラは、バイパスラインに設けられた第1の圧力調整弁を全開にして、基板を処理する処理室の圧力を大気圧から第2所定圧力まで減圧させ、第1の圧力調整弁の開度を調整して、第2所定圧力を維持させ、第1の圧力調整弁を全開にして、処理室の圧力を第2所定圧力よりも更に低い第1所定圧力まで減圧させ、第1所定圧力に到達した時点で第1所定時間少なくとも第1の圧力調整弁及び排気ラインに設けられた第2の圧力調整弁を閉じた状態で、処理室の圧力を検出し、第2の圧力調整弁を全開にして、処理室の圧力を第3所定圧力まで減圧させ、第2の圧力調整弁の開度を調整して、基板を処理する処理圧力に維持させるように構成されている技術が提供される。
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