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1. WO2020194388 - SOURCE DE RAYONNEMENT UV À MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/194388
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/012154
Date du dépôt international 22.03.2019
CIB
H01L 33/36 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/46 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
Déposants
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko
Mandataires
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MICRO-LED UV RADIATION SOURCE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SOURCE DE RAYONNEMENT UV À MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) マイクロLED紫外放射源及びその製造方法
Abrégé
(EN)
This micro-LED UV radiation source comprises a crystal growth substrate (100), and a front plane (200) that includes: a plurality of micro-LEDs (220) each having a first-conductivity-type first semiconductor layer (21) and a second-conductivity-type second semiconductor layer (22); and element separation regions (240) positioned between the micro-LEDs. The element separation regions each have at least one metal plug (24) that is electrically connected to the second semiconductor layers. This µ-LED UV radiation source comprises: an intermediate layer (300) that includes a first contact electrode (31) that is electrically connected to the first semiconductor layers, and a second contact electrode (32) that is connected to the metal plugs; and a back plane (400) formed on the intermediate layer. The substrate, the front plane, the intermediate layer, and the back plane are divided into a plurality of light-emitting element units, the plurality of light-emitting element units being supported by a flexible film.
(FR)
L'invention concerne une source de rayonnement UV à micro-DEL comprenant un substrat de croissance cristalline (100) et un plan avant (200) qui comprend : une pluralité de micro-DEL (220) ayant chacune une première couche semi-conductrice (21) de première type de conductivité et une seconde couche semi-conductrice de second type de conductivité (22) ; et des régions de séparation d'éléments (240) positionnées entre les micro-DEL. Les régions de séparation d'éléments ont chacune au moins une fiche métallique (24) qui est électriquement connectée aux secondes couches semi-conductrices Cette source de rayonnement UV à micro-DEL comprend : une couche intermédiaire (300) comprenant une première électrode de contact (31) qui est électriquement connectée aux premières couches semi-conductrices, et une seconde électrode de contact (32) qui est connectée aux fiches métalliques ; et un plan arrière (400) qui est formé sur la couche intermédiaire. Le substrat, le plan avant, la couche intermédiaire et le plan arrière sont divisés en une pluralité d'unités d'éléments électroluminescents, la pluralité d'unités d'éléments électroluminescents étant supportées par un film flexible.
(JA)
本開示のマイクロLED紫外放射源は、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(24)を有する。このμLED紫外放射源は、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。基板、フロントプレーン、中間層、バックプレーンは、複数の発光素子ユニットに分割されており、複数の発光素子ユニットは可撓性フィルムに支持されている。
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