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1. WO2020191961 - PHOTODÉTECTEUR INFRAROUGE DE GEPB DE TYPE À GUIDE D'ONDES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/191961
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/096552
Date du dépôt international 18.07.2019
CIB
H01L 31/101 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H01L 31/115 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
115Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire
H01L 31/028 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
028comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01L 31/0216 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
H01L 31/0236 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0236Textures de surface particulières
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • 上海新微技术研发中心有限公司 SHANGHAI INDUSTRIAL ΜTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 汪巍 WANG, Wei
  • 方青 FANG, Qing
  • 涂芝娟 TU, Zhijuan
  • 曾友宏 ZENG, Youhong
  • 蔡艳 CAI, Yan
  • 王庆 WANG, Qing
  • 王书晓 WANG, Shuxiao
  • 余明斌 YU, Mingbin
Mandataires
  • 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) SHANGHAI WINSUN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201910243160.128.03.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) WAVEGUIDE TYPE GEPB INFRARED PHOTODETECTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR INFRAROUGE DE GEPB DE TYPE À GUIDE D'ONDES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 波导型GePb红外光电探测器及其制造方法
Abrégé
(EN)
A waveguide type GePb infrared photodetector, and a manufacturing method therefor. The waveguide type GePb infrared photodetector comprises a silicon substrate (10), and a waveguide layer (11) and a device structure located on the surface of the silicon substrate (10); the device structure comprises a lower contact layer (12), an absorption layer (13), and an upper contact layer (14) sequentially stacked in a direction perpendicular to the silicon substrate (10); the material of the absorption layer (13) is Ge1-xPbx, wherein 0<x<1; an optical signal in the waveguide layer (11) is coupled into the device structure by means of evanescent waves. Therefore, the photodetector can realize efficient absorption from a short wave infrared band to a medium wave infrared band.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur infrarouge de GePb de type à guide d'ondes et son procédé de fabrication. Le photodétecteur infrarouge de GePb de type à guide d'ondes comprend un substrat de silicium (10), et une couche de guide d'ondes (11) et une structure de dispositif située sur la surface du substrat de silicium (10) ; la structure de dispositif comprend une couche de contact inférieure (12), une couche d'absorption (13) et une couche de contact supérieure (14) empilées séquentiellement dans une direction perpendiculaire au substrat de silicium (10) ; le matériau de la couche d'absorption (13) est Ge1-xPbx, où 0 < x < 1, un signal optique dans la couche de guide d'ondes (11) est couplé dans la structure de dispositif au moyen d'ondes évanescentes. Par conséquent, le photodétecteur peut réaliser une absorption efficace d'une bande infrarouge à ondes courtes à une bande infrarouge à ondes moyennes.
(ZH)
一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器,包括硅衬底(10)以及均位于所述硅衬底(10)表面的波导层(11)和器件结构;所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底(10)的方向依次叠置的下接触层(12)、吸收层(13)和上接触层(14),所述吸收层(13)的材料为Ge 1-xPb x,其中,0
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