Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020191837 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE PULVÉRISATION PYROLYTIQUE POUR FILM SEMICONDUCTEUR D'OXYDE MÉTALLIQUE À ÉLÉMENTS MULTIPLES À AUTO-DOPAGE À GRADIENT

Numéro de publication WO/2020/191837
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/083188
Date du dépôt international 18.04.2019
CIB
C23C 18/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02par décomposition thermique
12caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
Déposants
  • 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心) GUANGDONG INSTITUTE OF ANALYSIS (CHINA NATIONAL ANALYTICAL CENTER, GUANGZHOU) [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 汪福宪 WANG, Fuxian
  • 郭鹏然 GUO, Pengran
  • 张芳 ZHANG, Fang
  • 梁维新 LIANG, Weixin
Mandataires
  • 广州科粤专利商标代理有限公司 GUANGZHOU KEYUE I.P. LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201910245436.X28.03.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SPRAY PYROLYSIS PREPARATION METHOD FOR GRADIENT SELF-DOPING MULTI-ELEMENT METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE PULVÉRISATION PYROLYTIQUE POUR FILM SEMICONDUCTEUR D'OXYDE MÉTALLIQUE À ÉLÉMENTS MULTIPLES À AUTO-DOPAGE À GRADIENT
(ZH) 梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法
Abrégé
(EN)
A spray pyrolysis preparation method for a gradient self-doping multi-element metal oxide AxByOz semiconductor film. Liquid feeding rates of precursor solutions of A and B are accurately controlled by using a liquid feeding flow rate gradual change controller; a ratio of metal ions is regulated in a film coating process by adjusting an initial liquid feeding rate and a liquid feeding flow rate gradual change rate; on the premise that impurity phase precipitation of a one-element metal oxide of the A or B is inhibited, controllable adjustment of a ratio gradient of metal ions A/B from the bottoms to the tops of films with different thicknesses is realized; the gradient self-doping multi-element metal oxide AxByOz semiconductor film having the controllable ratio gradient of the A/B from the bottoms to the tops of the films and the controllable thicknesses is prepared. According to the method, the controllable ratio gradient of the metal ions A/B can be formed without the assistance of high-temperature heat diffusion, so that the problems that the ratio gradient of the A/B is uncontrollable on the basis of the high-temperature heat-assisted spray pyrolysis method, and phase separation of the one-element metal oxide of the A or B is easily generated can be effectively avoided.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation par pulvérisation pyrolytique pour un film d'oxyde métallique AxByOz à éléments multiples semiconducteur à auto-dopage à gradient. Les débits d'alimentation en liquide de solutions de précurseurs d'A et de B sont régulées avec précision à l'aide d'un dispositif de commande de changement progressif de débit d'alimentation en liquide ; un rapport d'ions métalliques est régulé dans un processus de revêtement de film par ajustement d'un débit d'alimentation en liquide initial et d'un taux de changement progressif de débit d'alimentation en liquide ; sur l'hypothèse que la précipitation en phase d'impuretés d'un oxyde métallique à un élément de A ou de B est inhibée, un ajustement régulable d'un gradient de rapport d'ions métalliques A/B de bas en haut de films ayant des épaisseurs différentes est réalisé ; le film semi-conducteur d'oxyde métallique AxByOz à éléments multiples à autodopage à gradient ayant le gradient de rapport régulable de A/B de bas en haut des films et des épaisseurs régulables est préparé. Selon le procédé, le gradient de rapport régulable des ions métalliques A/B peut être formé sans l'aide d'une diffusion de chaleur à haute température, de sorte que les problèmes d'impossibilité de contrôler le gradient de rapport de A/B sur la base du procédé de pulvérisation pyrolytique assisté par chaleur à haute température, et de séparation facile de phases de l'oxyde métallique à un élément du A ou du B peuvent être efficacement évités.
(ZH)
一种梯度自掺杂多元金属氧化物A xB yO z半导体薄膜的喷雾热解制备方法,利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率,通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率,在镀膜过程中调控金属离子的比例,在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下,实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节,制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜,该技术不需要依靠高温热扩散辅助形成金属离子A/B可控比例梯度,可以有效避免高温热辅助喷雾热解法中A/B比例梯度不可控、容易出现A或B的一元金属氧化物相分离问题。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international