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1. WO2020184179 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/184179
Date de publication 17.09.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/007699
Date du dépôt international 26.02.2020
CIB
B23K 26/046 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
02Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p.ex. par rapport au point d'impact; Alignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
04Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p.ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
046Focalisation automatique du faisceau laser
B23K 26/53 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
50Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler
53pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p.ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
B23K 26/046
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
046Automatically focusing the laser beam
B23K 26/53
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
Mandataires
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
Données relatives à la priorité
2019-04299408.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
Abrégé
(EN)
This substrate processing device comprises: an imaging unit which captures an image of a first substrate held by a holding unit; a modifying unit which forms a modified layer inside the first substrate being held by the holding unit by performing laser light irradiation along a boundary between a peripheral portion to be removed and a central portion; a first moving unit which causes the holding unit and the imaging unit to be moved relative to each other; and a control unit which controls the holding unit, the imaging unit, the modifying unit, and the first moving unit. The imaging unit, after focus adjustment is performed at a plurality of points of the first substrate, captures an image of the plurality of points of the first substrate. The control unit controls the holding unit, the imaging unit, and the first moving unit so that the focus adjustment of the imaging unit and/or the capturing of an image by the imaging unit is performed while the holding unit and the imaging unit are moved relative to each other.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui comprend : une unité d'imagerie qui capture une image d'un premier substrat maintenu par une unité de maintien ; une unité de modification qui forme une couche modifiée à l'intérieur du premier substrat qui est maintenu par l'unité de maintien en effectuant une irradiation de lumière laser le long d'une limite entre une partie périphérique à retirer et une partie centrale ; une première unité de déplacement qui amène l'unité de maintien et l'unité d'imagerie à se déplacer l'une par rapport à l'autre ; et une unité de commande qui commande l'unité de maintien, l'unité d'imagerie, l'unité de modification et la première unité de déplacement. L'unité d'imagerie, une fois qu'un ajustement de mise au point est effectué au niveau d'une pluralité de points du premier substrat, capture une image de la pluralité de points du premier substrat. L'unité de commande commande l'unité de maintien, l'unité d'imagerie et la première unité de déplacement de telle sorte que l'ajustement de mise au point de l'unité d'imagerie et/ou la capture d'une image par l'unité d'imagerie est effectué tandis que l'unité de maintien et l'unité d'imagerie se déplacent l'une par rapport à l'autre.
(JA)
基板処理装置は、保持部に保持された前記第1の基板を撮像する撮像部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部の境界に沿ってレーザ光を照射して改質層を形成する改質部と、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させる第1の移動部と、前記保持部、前記撮像部、前記改質部及び前記第1の移動部を制御する制御部と、を有する。前記撮像部は、前記第1の基板の複数点においてフォーカス調整を行った後、前記第1の基板の複数点を撮像する。前記制御部は、前記撮像部のフォーカス調整及び/又は前記撮像部による撮像を、前記保持部と前記撮像部を相対的に移動させながら行うように、前記保持部、前記撮像部及び前記第1の移動部を制御する。
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