Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020184027 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE

Numéro de publication WO/2020/184027
Date de publication 17.09.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/005021
Date du dépôt international 10.02.2020
CIB
H01L 23/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
15Substrats en céramique ou en verre
H01L 23/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/29 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
CPC
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
H01L 23/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
15Ceramic or glass substrates
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
H01L 25/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 西田 裕史 NISHIDA Yuji
  • 酒井 清久 SAKAI Kiyohisa
Mandataires
  • 松尾 憲一郎 MATSUO Kenichiro
Données relatives à la priorité
2019-04548813.03.2019JP
2019-12739909.07.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 半導体装置、撮像装置および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention reduces the height of a semiconductor device formed by stacking semiconductor chips. This semiconductor device is provided with a first package, a second package, and a connection part. The first package is provided with a substrate on which a first semiconductor chip and a first wire connected to the first semiconductor chip are disposed. The second package is provided with: a second semiconductor chip exchanging a signal with the first semiconductor chip and having a surface on which a pad for transmitting the signal is formed; a sealing part that covers the second semiconductor chip while exposing at least a portion of the surface of the second semiconductor chip; an insulation layer that is formed on the surface of the second semiconductor chip and a face of the sealing part adjacent to the surface of the second semiconductor chip; and a second wire that is connected to the pad via an opening part disposed in the insulation layer, that is formed adjacent to the insulation layer, and that transmits the signal. The connection part is disposed between the substrate and the sealing part, and connects the first wire and the second wire.
(FR)
La présente invention réduit la hauteur d'un dispositif à semi-conducteur formé par empilement de puces semi-conductrices. Ce dispositif à semi-conducteur est pourvu d'un premier boîtier, d'un second boîtier et d'une partie de connexion. Le premier boîtier est pourvu d'un substrat sur lequel sont disposés une première puce semi-conductrice et un premier fil connecté à la première puce semi-conductrice. Le second boîtier est pourvu : d'une seconde puce semi-conductrice échangeant un signal avec la première puce semi-conductrice et présentant une surface sur laquelle est formée une pastille permettant l'émission du signal ; d'une partie d'étanchéité qui recouvre la seconde puce semi-conductrice tout en mettant à nu au moins une partie de la surface de la seconde puce semi-conductrice ; d'une couche isolante qui est formée sur la surface de la seconde puce semi-conductrice et sur une face de la partie d'étanchéité adjacente à la surface de la seconde puce semi-conductrice ; et d'un second fil qui est relié à la pastille par l'intermédiaire d'une partie d'ouverture située dans la couche d'isolation, qui est formé adjacent à la couche d'isolation, et qui émet le signal. La partie de connexion est disposée entre le substrat et la partie d'étanchéité, et connecte le premier fil et le second fil.
(JA)
半導体チップが積層されて構成された半導体装置を低背化する。 半導体装置は、第1のパッケージ、第2のパッケージおよび接続部を具備する。第1のパッケージは、第1の半導体チップおよび当該第1の半導体チップに接続される第1の配線が配置される基板を備える。第2のパッケージは、第1の半導体チップと信号のやりとりを行うとともに表面に信号を伝達するパッドが形成される第2の半導体チップと、表面の少なくとも一部を露出させながら第2の半導体チップを覆う封止部と、第2の半導体チップの表面および当該第2の半導体チップの表面に隣接する封止部の面に形成される絶縁層と、絶縁層に配置される開口部を介してパッドに接続されて絶縁層に隣接して形成されて信号を伝達する第2の配線とを備える。接続部は、基板および封止部の間に配置されて第1の配線および第2の配線を接続する。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international