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1. WO2020182599 - PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FONCTIONNEMENT D’UN SYSTÈME DE MÉMOIRE NON VOLATIL

Numéro de publication WO/2020/182599
Date de publication 17.09.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/055820
Date du dépôt international 05.03.2020
CIB
G11C 13/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
G11C 16/34 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
CPC
G11C 13/0033
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0033Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
G11C 16/3418
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
3418Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
Déposants
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • AUE, Axel
Données relatives à la priorité
10 2019 203 351.212.03.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BETREIBEN EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHEREINRICHTUNG
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR OPERATING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FONCTIONNEMENT D’UN SYSTÈME DE MÉMOIRE NON VOLATIL
Abrégé
(DE)
Verfahren zum Betreiben einer mehrere Speicherzellen aufweisenden Speichereinrichtung zur nichtflüchtigen Speicherung von Daten, insbesondere für ein Kraftfahrzeug, aufweisend die folgenden Schritte: Überprüfen einer vorgebbaren Anzahl von Speicherzellen, wobei ein Prüfergebnis erhalten wird, und, in Abhängigkeit des Prüfergebnisses, gegebenenfalls Programmieren wenigstens einer Speicherzelle der vorgebbaren Anzahl von Speicherzellen, wobei die Schritte des Überprüfens und des gegebenenfalls Programmierens während eines Betriebs der Speichereinrichtung ausgeführt werden, wobei insbesondere in dem Betrieb der Speichereinrichtung wenigstens eine weitere Einheit auf die Speichereinrichtung zugreifen kann.
(EN)
A method for operating a memory device, having multiple memory cells, for the nonvolatile storage of data, in particular for a motor vehicle, having the following steps: checking a prescribable number of memory cells, wherein a check result is obtained, and, on the basis of the check result, possibly programming at least one memory cell from the prescribable number of memory cells, wherein the steps of checking and possible programming are carried out during operation of the memory device, wherein at least one further unit can access the memory device during the operation of the memory device, in particular.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fonctionnement d’un système de mémoire comprenant plusieurs cellules de mémoire et destiné à la mise en mémoire non volatile de données, en particulier pour un véhicule à moteur. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : la vérification d’un ensemble prédéfinissable de cellules de mémoire, un résultat de vérification étant obtenu ; et, en fonction du résultat de la vérification, la programmation éventuelle d’au moins une cellule de mémoire de l’ensemble prédéfinissable de cellules de mémoire. Les étapes de la vérification et de la programmation éventuelle sont exécutées durant un fonctionnement du système de mémoire, en particulier au moins une autre unité pouvant accéder au système de mémoire au cours du fonctionnement du système de mémoire.
Également publié en tant que
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