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1. WO2020181497 - PUCE LASER DFB À DOUBLE CAVITÉ, COMPOSANT D'ÉMISSION OPTIQUE, MODULE OPTIQUE ET DISPOSITIF DE RÉSEAU OPTIQUE

Numéro de publication WO/2020/181497
Date de publication 17.09.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/077864
Date du dépôt international 12.03.2019
CIB
H01S 5/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
40Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
CPC
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
H01S 5/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Déposants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 黄利新 HUANG, Lixin
  • 任正良 REN, Zhengliang
  • 王泽林 WANG, Zelin
Mandataires
  • 北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DOUBLE-CAVITY DFB LASER CHIP, OPTICAL EMISSION COMPONENT, OPTICAL MODULE, AND OPTICAL NETWORK DEVICE
(FR) PUCE LASER DFB À DOUBLE CAVITÉ, COMPOSANT D'ÉMISSION OPTIQUE, MODULE OPTIQUE ET DISPOSITIF DE RÉSEAU OPTIQUE
(ZH) 双腔DFB激光器芯片、光发射组件、光模块及光网络装置
Abrégé
(EN)
The present application provides a double-cavity DFB laser chip, an optical emission component, an optical module, and an optical network device. A first grating and a second grating are provided at intervals above a chip base component along the extension direction of gratings. A relative displacement is comprised between an orthographic projection of any first etching area of the first grating along the extension direction of the gratings, and an orthographic projection of any second etching area of the second grating along the extension direction of the gratings so that a phase difference is comprised between the first grating and the second grating. Moreover, cleavage end surface phases formed by cleavage of the first grating and the second grating are different. Therefore, obvious differences in the side-mode suppression ratio and the slope efficiency of the DFB laser corresponding to the first grating, and the side-mode suppression ratio and the slope efficiency of the DFB laser corresponding to the second grating are generated. There is surely a DFB laser of which performance indicators such as the side-mode suppression ratio and the slope efficiency meet the performance requirement so that a DFB laser having a better performance is selected for packaging during package, thereby improving the rate of finished products of the double-cavity DFB laser chip.
(FR)
La présente invention concerne une puce laser à rétroaction répartie (DFB) à double cavité, un composant d'émission optique, un module optique et un dispositif de réseau optique. Un premier réseau et un second réseau sont disposés à des intervalles au-dessus d'un composant de base de puce le long de la direction d'extension de réseaux. Un déplacement relatif est compris entre une projection orthographique de n'importe quelle première zone de gravure du premier réseau le long de la direction d'extension des réseaux, et une projection orthographique de n'importe quelle seconde zone de gravure du second réseau le long de la direction d'extension des réseaux de sorte qu'une différence de phase est comprise entre le premier réseau et le second réseau. De plus, des phases de surface d'extrémité de clivage formées par clivage du premier réseau et du second réseau sont différentes. Par conséquent, des différences évidentes dans le rapport de suppression de mode latéral et l'efficacité de pente du laser DFB correspondant au premier réseau, et le rapport de suppression de mode latéral et l'efficacité de pente du laser DFB correspondant au second réseau sont générées. Il existe certainement un laser DFB dont les indicateurs de performance tels que le rapport de suppression de mode latéral et l'efficacité de pente satisfont l'exigence de performance de telle sorte qu'un laser DFB enregistrant de meilleures performances est sélectionné pour l'encapsulation pendant l'encapsulation, ce qui permet d'améliorer le taux de produits finis de la puce laser DFB à double cavité.
(ZH)
本申请提供一种双腔DFB激光器芯片、光发射组件、光模块及光网络装置,在芯片基底组件上方沿光栅延伸方向间隔设置第一光栅和第二光栅。第一光栅的任意一个第一刻蚀区的沿光栅延伸方向的正投影与第二光栅的任意一个第二刻蚀区的沿光栅延伸方向的正投影之间具有相对位移,以使得第一光栅与第二光栅之间具有相位差,且第一光栅和第二光栅经过解理所形成的解理端面相位不同,因此,第一光栅对应的DFB激光器与第二光栅对应的DFB激光器的边模抑制比和斜率效率都会产生明显差异,总有一个DFB激光器的边模抑制比和斜率效率等性能指标满足性能要求,以便在封装时选择性能更优越的DFB激光器进行封装,提高了双腔DFB激光器芯片的成品率。
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