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1. WO2020166238 - MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/166238
Date de publication 20.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/000512
Date du dépôt international 09.01.2020
CIB
H01P 1/207 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1Dispositifs auxiliaires
20Sélecteurs de fréquence, p.ex. filtres
207Filtres en forme de guides d'ondes creux
H01P 5/107 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
08destinés au couplage de lignes ou de dispositifs de différentes sortes
10destinés au couplage de lignes ou de dispositifs équilibrés avec des lignes ou des dispositifs déséquilibrés
107Transitions entre guides d'ondes creux triplaque
H01P 5/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
5Dispositifs de couplage du type guide d'ondes
12Dispositifs de couplage présentant au moins trois accès
16Dispositifs à accès conjugués, c. à d. dispositifs présentant au moins un accès découplé d'un autre accès
18consistant en deux guides couplés, p.ex. coupleurs directionnels
H01P 11/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
11Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de guides d'ondes, résonateurs, lignes ou autres dispositifs du type guide d'ondes
CPC
H01P 1/207
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
20Frequency-selective devices, e.g. filters
207Hollow waveguide filters
H01P 11/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
11Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
H01P 5/107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
5Coupling devices of the waveguide type
08for linking dissimilar lines or devices
10for coupling balanced with unbalanced lines or devices
107Hollow-waveguide/strip-line transitions
H01P 5/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
5Coupling devices of the waveguide type
12Coupling devices having more than two ports
16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
18consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大川 敬 OKAWA Takashi
Mandataires
  • 家入 健 IEIRI Takeshi
Données relatives à la priorité
2019-02346813.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-FREQUENCY MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-FREQUENCY MODULE
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides a high-frequency module and a method for manufacturing the high-frequency module with which it is possible to reduce the size of a high-frequency module having a transmission line path for high-frequency signals, and moreover having a waveguide conversion configuration. The high-frequency module (10) comprises: a core material (11a) in which a first dielectric layer (113) is provided between a first electroconductive layer (111) and a second electroconductive layer (112); a laminate filter (11) in which a plurality of core materials (11a) and dielectric layers (114) are alternately laminated, the laminate filter (11) being penetrated by a through hole (11h) from the bottommost electroconductive layer (115) provided contacting the bottommost dielectric layer (114b) to the uppermost first electroconductive layer (111a); a first surface dielectric layer (131) provided on the laminate filter (11); and a first surface electroconductive layer (121) provided on the first surface dielectric layer (131), the first surface electroconductive layer (121) having a transmission line path for high-frequency signals and a ground GND, and a first width (d1) of the through hole (11h) in the first dielectric layer (113) differing from a second width (d2) of the through hole (11h) in the dielectric layer (114).
(FR)
La présente invention concerne un module haute fréquence et son procédé de fabrication permettant de réduire la taille d'un module haute fréquence comprenant un chemin de ligne de transmission de signaux haute fréquence, et présentant en outre une configuration de conversion de guide d'ondes. Le module haute fréquence (10) comprend : un matériau central (11a) dans lequel une première couche diélectrique (113) est disposée entre une première couche électroconductrice (111) et une seconde couche électroconductrice (112) ; un filtre stratifié (11) dans lequel une pluralité de matériaux centraux (11a) et des couches diélectriques (114) sont stratifiées en alternance, un trou traversant (11h) traversant le filtre stratifié (11) depuis la couche électroconductrice inférieure (115) disposée en contact avec la couche diélectrique inférieure (114b) jusqu'à la première couche électroconductrice supérieure (111a) ; une première couche diélectrique de surface (131) disposée sur le filtre stratifié (11) ; et une première couche électroconductrice de surface (121) disposée sur la première couche diélectrique de surface (131), la première couche électroconductrice de surface (121) comprenant un chemin de ligne de transmission de signaux haute fréquence et une masse (GND), et une première largeur (d1) du trou traversant (11h) dans la première couche diélectrique (113) étant différente d'une seconde largeur (d2) du trou traversant (11h) dans la couche diélectrique (114).
(JA)
高周波信号の伝送線路と導波管変換構成を有する高周波モジュールを小型化することが可能な高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法を提供すること。高周波モジュール(10)は、第1導電層(111)と第2導電層(112)との間に第1誘電層(113)が設けられたコア材(11a)と、複数のコア材(11a)と誘電層(114)とが交互に積層され、最下層の誘電層(114b)に接して設けられた最下導電層(115)から最上層の第1導電層(111a)までを貫通孔(11h)により貫かれた積層フィルタ(11)と、積層フィルタ(11)の上に設けられた第1表面誘電層(131)と、第1表面誘電層(131)の上に設けられ、高周波信号の伝送線路とグランドGNDとを有する第1表面導電層(121)と、を備え、第1誘電層(113)における貫通孔(11h)の第1幅(d1)と、誘電層(114)における貫通孔(11h)の第2幅(d2)とが異なる。
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