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1. WO2020165607 - PHOTODÉTECTEURS

Numéro de publication WO/2020/165607
Date de publication 20.08.2020
N° de la demande internationale PCT/GB2020/050358
Date du dépôt international 14.02.2020
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/0216 2014.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
CPC
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 31/02005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/02165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02162for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
02165using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
H01L 31/1133
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
112characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
113being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
1133the device being a conductor-insulator-semiconductor diode or a CCD device
Déposants
  • TELEDYNE UK LIMITED [GB]/[GB]
Inventeurs
  • HARRIS, Andrew
  • KELT, Andrew
Mandataires
  • REDDIE & GROSE LLP
Données relatives à la priorité
1902046.014.02.2019GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTODETECTORS
(FR) PHOTODÉTECTEURS
Abrégé
(EN)
A photodetector comprises a semiconductor substrate having an input surface for receiving illumination, control electrodes for control of photogenerated charge within the substrate and a filter on the radiation input surface of the substrate, the filter comprising a dielectric-metal band pass filter having a metal layer and one or more dielectric layers with one dielectric layer between the substrate surface and the metal layer. A connector is provided for applying a bias voltage to the metal layer with respect to the substrate. In effect, the metal layer of the band pass filter provides two functions. The first function is as part of the ITF filter selecting the wavelength desired for the device. The second function is as a conductive layer allowing a bias to be provided between the substrate and the metal layer thereby producing a field within the surface of the substrate to which the filter is applied.
(FR)
La présente invention concerne un photodétecteur comprenant un substrat semi-conducteur présentant une surface d'entrée destinée à recevoir un éclairage, des électrodes de commande servant à commander la charge photogénérée dans le substrat, et un filtre sur la surface d'entrée de rayonnement du substrat, le filtre comprenant un filtre passe-bande métallique diélectrique pourvu d'une couche métallique et d'une ou plusieurs couches diélectriques, une couche diélectrique étant disposée entre la surface de substrat et la couche métallique. Un connecteur est prévu pour appliquer une tension de polarisation à la couche métallique par rapport au substrat. En pratique, la couche métallique du filtre passe-bande offre deux fonctions. La première fonction fait partie du filtre ITF sélectionnant la longueur d'onde souhaitée pour le dispositif. La seconde fonction est une couche conductrice permettant de fournir une polarisation entre le substrat et la couche métallique, ce qui permet de produire un champ dans la surface du substrat sur laquelle le filtre est appliqué.
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