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1. WO2020163821 - TECHNIQUE D'AUTO-ÉTALONNAGE ET DE GAIN CONSTANT POUR AMPLIFICATEUR RF

Numéro de publication WO/2020/163821
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/017362
Date du dépôt international 07.02.2020
CIB
H03F 1/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
30Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 3/195 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
195dans des circuits intégrés
H03G 3/30 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
GRÉGLAGE DE L'AMPLIFICATION
3Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
20Commande automatique
30dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
H03F 1/56 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
CPC
H03F 1/30
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage ; or other physical parameters
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
H03F 2200/387
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
H03F 2200/447
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
447the amplifier being protected to temperature influence
H03F 2200/451
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
451the amplifier being a radio frequency amplifier
H03F 2200/456
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
456A scaled replica of a transistor being present in an amplifier
Déposants
  • TUBIS TECHNOLOGY [US]/[US]
Inventeurs
  • WU, Kenny
  • LIN, Yuhmin
  • WANG, James
Mandataires
  • JIN, Zheng
Données relatives à la priorité
62/802,34407.02.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONSTANT GAIN AND SELF-CALIBRATION TECHNIQUE FOR RF AMPLIFIER
(FR) TECHNIQUE D'AUTO-ÉTALONNAGE ET DE GAIN CONSTANT POUR AMPLIFICATEUR RF
Abrégé
(EN)
Radio Frequency (RF) amplifier design with RFIC suffers gain variations from gain variations due to wafer process variations, temperature changes, and supply voltage changes. Three methods are proposed to achieve constant amplifier gain, either through on-chip wafer calibration, or self-calibration. Through automatic adjustment of amplifier bias current, the proposed methods maintain constant amplifier gain over process, temperature, supply voltage variations. Under the proposed Method 1, a constant transconductance Gm with enhanced gain accuracy is maintained via wafer calibration. Under the proposed Method 2, a constant transconductance Gm is maintained by time-domain averaging through different transistors. Under the proposed Method 3, a constant Gm*R or RF gain is maintained considering the impedance of a matching network of the RF amplifier.
(FR)
La conception d'amplificateur radiofréquence (RF) avec RFIC subit des variations de gain à partir de variations de gain dues aux variations de traitement de tranche, aux variations de température et aux variations de tension d'alimentation. Trois procédés sont proposés pour obtenir un gain d'amplificateur constant, soit par étalonnage de tranche sur puce, soit par auto-étalonnage. Grâce au réglage automatique du courant de polarisation de l'amplificateur, les procédés proposés maintiennent un gain d'amplificateur constant sur les variations de traitement, de température et de tension d'alimentation. Dans le cadre du procédé 1 selon l'invention, une transconductance constante Gm ayant une précision de gain améliorée est maintenue par l'intermédiaire d'un étalonnage de tranche. Dans le cadre du procédé 2 selon l'invention, une transconductance constante Gm est maintenue par moyenne dans le domaine temporel par l'intermédiaire de différents transistors. Dans le cadre du procédé 3 selon l'invention, un gain constant Gm*R ou RF est maintenu en tenant compte de l'impédance d'un réseau d'adaptation de l'amplificateur RF.
Également publié en tant que
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