Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020163762 - STRUCTURES DE RÉSERVE EN FLUOROPOLYMÈRE AYANT UN PROFIL EN CONTRE-DÉPOUILLE

Numéro de publication WO/2020/163762
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/017293
Date du dépôt international 07.02.2020
CIB
G03F 7/32 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
G03F 7/42 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
42Elimination des réserves ou agents à cet effet
G03F 7/029 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
027Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p.ex. composés éthyléniques
028avec des substances accroissant la photosensibilité, p.ex. photo-initiateurs
029Composés inorganiques; Composés d'onium; Composés organiques contenant des hétéro-atomes autres que l'oxygène, l'azote ou le soufre
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
G03F 7/029
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
028with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
029Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
G03F 7/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
30Imagewise removal using liquid means
32Liquid compositions therefor, e.g. developers
G03F 7/42
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42Stripping or agents therefor
H01L 51/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
Déposants
  • ORTHOGONAL, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BYRNE, Frank Xavier
  • FREEMAN, Diane Carol
  • WRIGHT, Charles Warren
  • DEFRANCO, John Andrew
  • DODSON, Ross
  • O'TOOLE, Terrence Robert
Mandataires
  • BRUESS, Steven C.
  • SMITH, Ryan C.
  • WU, Tong
Données relatives à la priorité
62/802,47807.02.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FLUOROPOLYMER RESIST STRUCTURES HAVING AN UNDERCUT PROFILE
(FR) STRUCTURES DE RÉSERVE EN FLUOROPOLYMÈRE AYANT UN PROFIL EN CONTRE-DÉPOUILLE
Abrégé
(EN)
Methods of forming a fluoropolymer resist structure having an undercut profile are disclosed. A patterned precursor structure is formed including a fluoropolymer layer having a pattern of first and second surface regions. The patterned precursor structure is contacted with an undercut developing agent including a hydrofluoroether solvent, a perfluorinated solvent or both. The undercut developing agent removes a portion of the fluoropolymer layer in registration with the first surface region, thereby forming a first patterned fluoropolymer structure having a first undercut profile. The first patterned fluoropolymer structure is contacted with a rinse agent comprising a fluorinated rinse solvent. The fluoropolymer layer has a dissolution rate in the undercut developing agent that is at least 3 times greater than a dissolution rate in the rinse agent. The fluoropolymer resist structures may be used to pattern organic electronic devices such as OLED devices by lift-off processing.
(FR)
L'invention concerne des procédés de formation d'une structure de réserve en fluoropolymère ayant un profil en contre-dépouille. Une structure de précurseur à motifs est formée, celle-ci comprenant une couche de fluoropolymère ayant un motif constitué d'une première et d'une seconde région de surface. La structure de précurseur à motifs est mise en contact avec un agent de développement en contre-dépouille comprenant un solvant hydrofluoroéther, un solvant perfluoré ou ces deux éléments. L'agent de développement en contre-dépouille retire une partie de la couche de fluoropolymère qui est en alignement avec la première région de surface, formant ainsi une première structure de fluoropolymère à motifs ayant un premier profil en contre-dépouille. La première structure de fluoropolymère à motifs est mise en contact avec un agent de rinçage comprenant un solvant de rinçage fluoré. La couche de fluoropolymère possède un taux de dissolution dans l'agent de développement en contre-dépouille qui est au moins 3 fois supérieur à un taux de dissolution dans l'agent de rinçage. Les structures de réserve de fluoropolymère peuvent être utilisées pour modeler des dispositifs électroniques organiques tels que des dispositifs OLED par traitement de décollement.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international