Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020163139 - ÉMETTEURS VERTICAUX À MICROLENTILLES INTÉGRÉES

Numéro de publication WO/2020/163139
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015763
Date du dépôt international 30.01.2020
CIB
H01S 5/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
G02B 3/00 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
3Lentilles simples ou composées
G02B 27/09 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
27Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes G02B1/-G02B26/117
09Mise en forme du faisceau, p.ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/022 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01S 5/026 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/183 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
G02B 27/0905
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
0905Dividing and/or superposing multiple light beams
G02B 27/0922
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
0916Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
0922the semiconductor light source comprising an array of light emitters
G02B 27/0944
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
0938Using specific optical elements
0944Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
G02B 27/0961
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
0938Using specific optical elements
095Refractive optical elements
0955Lenses
0961Lens arrays
G02B 27/4233
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
27Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
42Diffraction optics ; , i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
4233having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
G02B 3/0037
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
3Simple or compound lenses
0006Arrays
0037characterized by the distribution or form of lenses
Déposants
  • APPLE INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • LYON, Keith
  • LAFLAQUIERE, Arnaud
Mandataires
  • KLIGLER, Daniel
Données relatives à la priorité
62/800,57704.02.2019US
62/869,57702.07.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) VERTICAL EMITTERS WITH INTEGRAL MICROLENSES
(FR) ÉMETTEURS VERTICAUX À MICROLENTILLES INTÉGRÉES
Abrégé
(EN)
An optoelectronic device (20) includes a semiconductor substrate (22) having first and second faces. A first array of emitters (24, 26) are formed on the first face of the semiconductor substrate and are configured to emit respective beams (28) of radiation through the substrate. Electrical connections (36, 38) are coupled to actuate selectively first and second sets of the emitters in the first array. A second array of microlenses (30, 76, 78) are formed on the second face of the semiconductor substrate in respective alignment with the emitters in at least one of the first and second sets and are configured to focus the beams emitted from the emitters in the at least one of the first and second sets so that the beams are transmitted from the second face with different, respective first and second focal properties.
(FR)
Un dispositif optoélectronique (20) comprend un substrat semi-conducteur (22) présentant des première et seconde faces. Un premier réseau d'émetteurs (24, 26) qui sont formés sur la première face du substrat semi-conducteur et qui sont conçus pour émettre des faisceaux respectifs (28) de rayonnement à travers le substrat. Des connexions électriques (36, 38) sont couplées pour actionner sélectivement des premier et second ensembles des émetteurs dans le premier réseau. Un second réseau de microlentilles (30, 76, 78) qui sont formées sur la seconde face du substrat semi-conducteur dans un alignement respectif avec les émetteurs du premier ensemble et/ou du second ensemble et qui sont conçues pour focaliser les faisceaux émis par les émetteurs du premier et/ou du second ensemble de sorte que les faisceaux sont transmis à partir de la seconde face avec des première et seconde propriétés focales respectives différentes.
Également publié en tant que
EP2020708006
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international