Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le mardi 27.07.2021 à 12:00 PM CEST
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020163007 - DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À CANAUX SEMI-CONDUCTEURS VERTICAUX AYANT DES SECTIONS SEMI-TUBULAIRES AU NIVEAU DE SÉLECTION DE DRAIN ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/163007
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063461
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 27/11519 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11517avec grilles flottantes
11519caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11556 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11517avec grilles flottantes
11551caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
11553la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
11556les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
H01L 27/1157 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11563avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM
11568caractérisées par la région noyau de mémoire
1157avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
H01L 27/11582 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11563avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM
11578caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
1158la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
11582les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
CPC
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 27/11519
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11519characterised by the top-view layout
H01L 27/11556
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11551characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
11553with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
11556the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
H01L 27/1157
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11568characterised by the memory core region
1157with cell select transistors, e.g. NAND
H01L 27/11582
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11578characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
1158with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
11582the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
Déposants
  • SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • LU, Ching-Huang
  • ZHAO, Wei
  • ZHANG, Yanli
  • KAI, James
  • IWAI, Takaaki
  • KOTO, Makoto
  • NAGAMINE, Sayako
  • TSUTSUMI, Masanori
  • INOUE, Shigehisa
  • KUBO, Tomohiro
Mandataires
  • RADOMSKY, Leon
  • COHN, Joanna
  • CONNOR, David
  • GAYOSO, Tony
  • NORRIS, Christine
  • GILL, Matthew
  • GUNNELS, Zarema
  • HANSEN, Robert
  • HUANG, Stephen
  • HYAMS, David
  • JOHNSON, Timothy
  • MAZAHERY, Benjamin
  • MURPHY, Timothy
  • O'BRIEN, Michelle
  • PARK, Byeongju
  • RUTT, Steven
  • SULSKY, Martin
Données relatives à la priorité
16/267,59205.02.2019US
16/267,62505.02.2019US
16/388,05418.04.2019US
16/519,09223.07.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH VERTICAL SEMICONDUCTOR CHANNELS HAVING SEMI-TUBULAR SECTIONS AT THE DRAIN-SELECT-LEVEL AND METHODS FOR MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL À CANAUX SEMI-CONDUCTEURS VERTICAUX AYANT DES SECTIONS SEMI-TUBULAIRES AU NIVEAU DE SÉLECTION DE DRAIN ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A three-dimensional memory device is provided, which comprises an alternating stack: of insulating layers 32 and electrically conductive layers 46 located over a substrate (9, 10); first memory opening fill structures 58A extending through the alternating stack: (32, 46), wherein each of the first memory opening fill structures (58 A) includes a respective first memory film (50), a respective first vertical semiconductor channel (60) contacting an inner sidewall of the respective first memory film (50), and a respective first dielectric core (62) having a circular or an elliptical horizontal cross-sectional shape at a lower portion thereof and having a semi-circular or a semi -elliptical horizontal cross-sectional shape at an upper portion thereof.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel, qui comprend un empilement alterné : de couches isolantes 32 et de couches électriquement conductrices 46 situées sur un substrat (9, 10) ; des premières structures de remplissage d'ouverture de mémoire 58A s'étendant à travers l'empilement alterné : (32, 46), Chacune des premières structures de remplissage d'ouverture de mémoire (58 a) comprenant un premier film de mémoire respectif (50), un premier canal semi-conducteur vertical respectif (60) en contact avec une paroi latérale interne du premier film de mémoire respectif (50), et un premier noyau diélectrique (62) respectif ayant une forme transversale horizontale circulaire ou elliptique au niveau d'une partie inférieure de celui-ci et ayant une forme transversale horizontale semi-circulaire ou semi-elliptique au niveau d'une partie supérieure de celui-ci.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international