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1. WO2020162979 - ÉVALUATION DE RENDEMENT EN PUCES BASÉ SUR UNE SIMULATION DE TAUX D'ÉCHEC DE MOTIF

Numéro de publication WO/2020/162979
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/047839
Date du dépôt international 23.08.2019
CIB
G06F 17/50 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
17Équipement ou méthodes de traitement de données ou de calcul numérique, spécialement adaptés à des fonctions spécifiques
50Conception assistée par ordinateur
G03F 1/36 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
36Masques à correction d'effets de proximité; Leur préparation, p.ex. procédés de conception à correction d'effets de proximité
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70441
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
70441Optical proximity correction
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/70616
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
G06F 30/398
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
39Circuit design at the physical level
398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
Déposants
  • SIEMENS INDUSTRY SOFTWARE INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KIM, Young Chang
  • STURTEVANT, John L.
  • BURBINE, Andrew
  • CLIFFORD, Christopher
Mandataires
  • RICHMOND, Jeffrey J.
Données relatives à la priorité
62/803,09008.02.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DIE YIELD ASSESSMENT BASED ON PATTERN-FAILURE RATE SIMULATION
(FR) ÉVALUATION DE RENDEMENT EN PUCES BASÉ SUR UNE SIMULATION DE TAUX D'ÉCHEC DE MOTIF
Abrégé
(EN)
This application discloses a computing system to identify structures of an integrated circuit capable of being fabricated utilizing a lithographic mask described by mask layout data and to generate process windows for the identified structures based, at least in part, on the mask layout data and a failure definition for the identified structures. The computing system utilizes process windows for the identified structures to determine failure rates for the identified structures based on a distribution of the manufacturing parameters. The computing system determines frequency of occurrences for the identified structures from the mask layout data and generates a die yield metric for the integrated circuit by aggregating the failure rates for the identified structures based on the frequency of occurrences for the identified structures in the integrated circuit. These increases in yield of the integrated circuit allow manufacturers to produce more units per fixed processing cost of the wafer.
(FR)
Cette invention concerne un système informatique permettant d'identifier des structures d'un circuit intégré, qu'on peut fabriquer à l'aide d'un masque lithographique décrit par des données de tracé de masque, et de générer des fenêtres de traitement pour les structures identifiées en fonction, au moins en partie, des données de tracé de masque et d'une définition d'échec pour les structures identifiées. Le système informatique utilise des fenêtres de traitement pour les structures identifiées, pour déterminer des taux d'échec pour les structures identifiées en fonction d'une distribution des paramètres de fabrication. Le système informatique détermine la fréquence d'occurrences pour les structures identifiées à partir des données de tracé de masque et génère une mesure de rendement en puces pour le circuit intégré, en agrégeant les taux d'échec pour les structures identifiées en fonction de la fréquence d'occurrences pour les structures identifiées dans le circuit intégré. Ces augmentations de rendement du circuit intégré permettent aux fabricants de produire plus d'unités par coût fixe de traitement de la tranche.
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