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1. WO2020162687 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT

Numéro de publication WO/2020/162687
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2020/001703
Date du dépôt international 06.02.2020
CIB
H01L 25/075 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H01L 33/42 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
42Matériaux transparents
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 25/0756
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0756Stacked arrangements of devices
H01L 25/13
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
10the devices having separate containers
13the devices being of a type provided for in group H01L33/00
H01L 33/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
08with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 서울바이오시스주식회사 SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이섬근 LEE, Seom Geun
  • 신찬섭 SHIN, Chan Seob
  • 이호준 LEE, Ho Joon
  • 장성규 JANG, Seong Kyu
Mandataires
  • 특허법인에이아이피 AIP PATENT & LAW FIRM
Données relatives à la priorité
16/782,59405.02.2020US
62/802,78408.02.2019US
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT FOR DISPLAY AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT
(KO) 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치
Abrégé
(EN)
A light-emitting element for a display according to one embodiment comprises: a first LED lamination; a second LED lamination; a third LED lamination; a first transparent electrode interposed between the first LED lamination and the second LED lamination and being in ohmic contact with the lower surface of the first LED lamination; a second transparent electrode interposed between the first LED lamination and the second LED lamination and being in ohmic contact with the upper surface of the second LED lamination; a third transparent electrode interposed between the second LED lamination and the third LED lamination and being in ohmic contact with the upper surface of the third LED lamination; an n electrode pad disposed on a first conductive semiconductor layer of the third LED lamination; a lower p electrode pad disposed on the third transparent electrode; and bump pads arranged on the first LED lamination, wherein the upper surface of the n electrode pad is located at the same height as that of the upper surface of the lower p electrode pad.
(FR)
Un élément électroluminescent pour un dispositif d'affichage selon un mode de réalisation comprend : une première stratification de DEL; une seconde stratification de DEL; une troisième stratification de DEL; une première électrode transparente interposée entre la première stratification de DEL et la seconde stratification de DEL et étant en contact ohmique avec la surface inférieure de la première stratification de DEL; une seconde électrode transparente interposée entre la première stratification de DEL et la seconde stratification de DEL et étant en contact ohmique avec la surface supérieure de la seconde stratification de DEL; une troisième électrode transparente interposée entre la seconde stratification de DEL et la troisième stratification de DEL et étant en contact ohmique avec la surface supérieure de la troisième stratification de DEL; une pastille d'électrode n disposée sur une première couche semi-conductrice conductrice de la troisième stratification de DEL; une pastille d'électrode p inférieure disposée sur la troisième électrode transparente; et des pastilles à bosse disposées sur la première stratification de DEL, la surface supérieure de la pastille d'électrode n étant située à la même hauteur que celle de la surface supérieure de la pastille d'électrode p inférieure.
(KO)
일 실시예에 따른 디스플레이용 발광 소자는, 제1 LED 적층; 제2 LED 적층; 제3 LED 적층; 상기 제1 LED 적층과 상기 제2 LED 적층 사이에 개재되며, 상기 제1 LED 적층의 하면에 오믹 콘택하는 제1 투명 전극; 상기 제1 LED 적층과 상기 제2 LED 적층 사이에 개재되며, 상기 제2 LED 적층의 상면에 오믹 콘택하는 제2 투명 전극; 상기 제2 LED 적층과 상기 제3 LED 적층 사이에 개재되며, 상기 제3 LED 적층의 상면에 오믹 콘택하는 제3 투명 전극; 상기 제3 LED 적층의 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 n 전극 패드; 상기 제3 투명 전극 상에 배치된 하부 p 전극 패드; 및 상기 제1 LED 적층 상에 배치된 범프 패드들을 포함하되, 상기 n 전극 패드의 상면은 상기 하부 p 전극 패드의 상면과 동일 높이에 위치한다.
Également publié en tant que
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