Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020162667 - NOUVEAU PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE COMPOSÉ DE SILICIUM OU DE SILICIUM DANS UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/162667
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2020/000841
Date du dépôt international 17.01.2020
CIB
H01L 21/027 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H01L 21/311 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C11D 11/00 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
11HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
DCOMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
11Méthodes particulières pour la préparation de compositions contenant des mélanges de détergents
C11D 7/50 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
11HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
DCOMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
7Compositions détergentes formées essentiellement de composés non tensio-actifs
50Solvants
CPC
C11D 11/0047
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
C11D 7/5013
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
50Solvents
5004Organic solvents
5013containing nitrogen
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
H01L 21/0274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
H01L 21/0277
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0277Electrolithographic processes
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • 영창케미칼 주식회사 YOUNG CHANG CHEMICAL CO., LTD [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 이수진 LEE, Su Jin
  • 김기홍 KIM, Gi Hong
  • 이승훈 LEE, Seung Hun
  • 이승현 LEE, Seung Hyun
Mandataires
  • 특허법인(유한) 해담 HAEDAM IP GROUP
Données relatives à la priorité
10-2019-001484908.02.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) NOVEL METHOD FOR FORMING SILICON OR SILICON COMPOUND PATTERN IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
(FR) NOUVEAU PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE COMPOSÉ DE SILICIUM OU DE SILICIUM DANS UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a process for realizing a fine silicon pattern having a large aspect ratio in a semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a novel cleaning method in which a cleaning process is performed to remove organic carbon film impurities remaining on the lower portion of a pattern and impurities caused by fumes in order to form a fine silicon pattern, thereby forming a desired pattern without lifting, and said invention has an effect of providing a method for forming a fine pattern.
(FR)
L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de réalisation d'un motif de silicium fin ayant un important rapport d'aspect dans un procédé de fabrication de semi-conducteur. La présente invention concerne un nouveau procédé de nettoyage dans lequel un processus de nettoyage est effectué pour éliminer les impuretés de film de carbone organique restant sur la partie inférieure d'un motif et les impuretés provoquées par des fumées afin de former un motif de silicium fin, ce qui permet de former un motif souhaité sans levage, et ladite invention a pour effet de fournir un procédé de formation d'un motif fin.
(KO)
본원 발명은 반도체 제조 공정 중 종횡비가 큰 미세 실리콘 패턴을 구현하기 위한 공정을 제공하기 위한 목적을 갖는 것으로서, 미세 실리콘 패턴을 형성하기 위하여 패턴 하부에 남아 있는 유기탄소막 불순물 및 흄에 의한 불순물을 제거하기 위하여 세정공정을 진행함으로서 리프팅 없이 원하는 패턴을 형성하는 신규의 세정 방법에 관한 것으로, 미세 패턴 형성 방법을 제공하는 효과를 나타내는 것이다.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international