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1. WO2020162637 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE PHOTOGRAPHIE D'IMAGE DE RAYONNEMENT

Numéro de publication WO/2020/162637
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/005114
Date du dépôt international 10.02.2020
CIB
G01T 1/20 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
20avec des détecteurs à scintillation
G01T 1/202 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
20avec des détecteurs à scintillation
202le détecteur étant du cristal
H01L 27/144 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
A61B 6/00 2006.1
ANÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
BDIAGNOSTIC; CHIRURGIE; IDENTIFICATION
6Appareils pour diagnostic par radiations, p.ex. combinés avec un équipement de thérapie par radiations
CPC
A61B 6/00
AHUMAN NECESSITIES
61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
6Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
G01T 1/20
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
20with scintillation detectors
G01T 1/202
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
20with scintillation detectors
202the detector being a crystal
H01L 27/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 牛倉 信一 USHIKURA, Shinichi
  • 加藤 宗貴 KATO, Munetaka
  • 赤松 圭一 AKAMATSU, Keiichi
  • 中津川 晴康 NAKATSUGAWA, Haruyasu
Mandataires
  • 特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO
Données relatives à la priorité
2019-02211908.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING RADIATION DETECTOR, AND RADIATION IMAGE PHOTOGRAPHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET DISPOSITIF DE PHOTOGRAPHIE D'IMAGE DE RAYONNEMENT
(JA) 放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置
Abrégé
(EN)
This method of manufacturing a radiation detector comprises: a step for forming a TFT substrate, in which a flexible base material is provided on a support body with a release layer interposed therebetween, and in which a plurality of pixels are provided in a pixel region on the base material; a step for forming a conversion layer for converting radiation into light on a first surface of the base material; a step for providing a first reinforcing substrate on a surface of the conversion layer on the side thereof opposite the surface on the TFT substrate side; a step for peeling off the TFT substrate on which the conversion layer and the first reinforcing substrate are provided from the support body; a step for providing a second reinforcing substrate to a second surface that is the surface of the TFT substrate, which was peeled off from the support body, where the TFT substrate was peeled off from the support body; and, after the second reinforcing substrate providing step, a step for peeling off the first reinforcing substrate from the TFT substrate provided with the conversion layer. The foregoing makes it possible to provide a method of manufacturing a radiation detector and a radiation image photographing device which can inhibit the occurrence of substrate defects and which have excellent reworkability.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnement, le procédé comprenant : une étape de formation d'un substrat TFT, dans laquelle un matériau flexible de base est disposé sur un corps de support en intercalant une couche de libération entre le matériau flexible de base et le corps de support, et dans laquelle une pluralité de pixels sont fournis dans une région de pixel sur le matériau de base; une étape de formation d'une couche de conversion servant à convertir un rayonnement en une lumière sur une première surface du matériau de base; une étape de placement d'un premier substrat de renforcement sur une surface de la couche de conversion du côté opposé à la surface du côté substrat TFT; une étape de retrait par pelage du substrat TFT sur lequel la couche de conversion et le premier substrat de renforcement sont disposés à partir du corps de support; une étape de placement d'un second substrat de renforcement sur une seconde surface qui est la surface du substrat TFT, qui a été retiré par pelage à partir du corps de support, où le substrat TFT a été retiré par pelage à partir du corps de support; et, après la seconde étape de placement de substrat de renforcement, une étape de retrait par pelage du premier substrat de renforcement à partir du substrat TFT pourvu de la couche de conversion. Ce qui précède permet de fournir un procédé de fabrication d'un détecteur de rayonnement et un dispositif de photographie d'image de rayonnement qui peuvent empêcher l'apparition de défauts sur un substrat et qui ont une excellente aptitude au refaçonnage.
(JA)
放射線検出器の製造方法は、支持体に剥離層を介して可撓性の基材を設け、基材の画素領域に複数の画素が設けられたTFT基板を形成する工程と、基材の第1の面に、放射線を光に変換する変換層を形成する工程と、変換層の、TFT基板側の面と反対側の面に第1補強基板を設ける工程と、変換層及び第1補強基板が設けられたTFT基板を、支持体から剥離する工程と、支持体から剥離されたTFT基板の、支持体から剥離した面である第2の面に第2補強基板を設ける工程と、第2補強基板配置工程の後に、第1補強基板を、変換層が設けられたTFT基板から剥離する工程とを備え、基板に不具合が生じるのを抑制することができ、かつリワーク性に優れた放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置を提供する。
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