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1. WO2020162157 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET STRUCTURE D'ÉLECTRODE

Numéro de publication WO/2020/162157
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/001835
Date du dépôt international 21.01.2020
CIB
H05H 1/46 2006.1
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/31 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
C23C 16/505 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
505utilisant des décharges à radiofréquence
CPC
C23C 16/505
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
50using electric discharges
505using radio frequency discharges
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 飯塚 八城 IIZUKA, Hachishiro
  • 谷池 泰明 TANIIKE, Yasuaki
Mandataires
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
Données relatives à la priorité
2019-01810204.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND ELECTRODE STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET STRUCTURE D'ÉLECTRODE
(JA) プラズマ処理装置および電極構造体
Abrégé
(EN)
This plasma processing device is provided with an electrode structure. The electrode structure comprises a stage, a support portion, a first dielectric, a second dielectric, a third dielectric, a first shield, a second shield, and a third shield. The support portion is connected to a lower part of the stage. The first dielectric is disposed in a peripheral region of an upper surface of the stage. The second dielectric is disposed on a side surface and a lower surface of the stage. The third dielectric is disposed around the support portion. The first shield is disposed on the upper surface of the first dielectric around a body to be processed mounted on the stage. The second shield is connected to the first shield and disposed on the side surface of the stage, with the second dielectric therebetween. The third shield is connected to the second shield and disposed on the lower surface of the stage and around the support portion, with the second dielectric and the third dielectric therebetween. The third shield is grounded.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma qui est pourvu d'une structure d'électrode. La structure d'électrode comprend un étage, une partie de support, un premier diélectrique, un deuxième diélectrique, un troisième diélectrique, un premier blindage, un deuxième blindage et un troisième blindage. La partie de support est reliée à une partie inférieure de l'étage. Le premier diélectrique est disposé dans une région périphérique d'une surface supérieure de l'étage. Le deuxième diélectrique est disposé sur une surface latérale et une surface inférieure de l'étage. Le troisième diélectrique est disposé autour de la partie de support. Le premier blindage est disposé sur la surface supérieure du premier diélectrique autour d'un corps à traiter monté sur l'étage. Le deuxième blindage est connecté au premier blindage et disposé sur la surface latérale de l'étage, le deuxième diélectrique entre eux. Le troisième blindage est relié au deuxième blindage et disposé sur la surface inférieure de l'étage et autour de la partie de support, le deuxième diélectrique et le troisième diélectrique entre eux. Le troisième blindage est mis à la terre.
(JA)
プラズマ処理装置は、電極構造体を備える。電極構造体は、ステージ、支持部、第1の誘電体、第2の誘電体、第3の誘電体、第1のシールド、第2のシールド、および第3のシールドを有する。支持部は、ステージの下部に接続される。第1の誘電体は、ステージの上面の周縁領域に配置される。第2の誘電体は、ステージの側面および下面に配置される。第3の誘電体は、支持部の周囲に配置される。第1のシールドは、第1の誘電体の上面であって、ステージに載置される被処理体の周囲に配置される。第2のシールドは、第1のシールドに接続され、第2の誘電体を挟んでステージの側面に配置される。第3のシールドは、第2のシールドに接続され、第2の誘電体および第3の誘電体を挟んで、ステージの下面と支持部の周囲に配置される。また、第3のシールドは接地されている。
Également publié en tant que
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