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1. WO2020162144 - COMPOSITION DE POLISSAGE

Numéro de publication WO/2020/162144
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/001646
Date du dépôt international 20.01.2020
CIB
C09K 3/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
B24B 37/00 2012.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
B24B 37/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
C09K 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Déposants
  • 株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 田邉 誼之 TANABE, Yoshiyuki
  • 谷口 恵 TANIGUCHI, Megumi
Mandataires
  • 安部 誠 ABE, Makoto
Données relatives à la priorité
2019-01893005.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
Abrégé
(EN)
Provided is a polishing composition which can achieve both a high polishing rate and excellent protrusion elimination properties at a periphery of an HLM. The polishing composition provided by the present invention is used in a preliminary polishing step for a silicon substrate. This polishing composition contains abrasive grains, a basic compound and a nitrogen-containing organic compound A. At least one nitrogen atom contained in the nitrogen-containing organic compound A forms a π-conjugated structure.
(FR)
L'invention concerne une composition de polissage qui peut atteindre à la fois un taux de polissage élevé et d'excellentes propriétés d'élimination de protubérances à la périphérie d'un HLM. La composition de polissage fournie par la présente invention est utilisée dans une étape de polissage préliminaire pour un substrat de silicium. Cette composition de polissage contient des grains abrasifs, un composé basique et un composé organique contenant de l'azote A. Au moins un atome d'azote contenu dans le composé organique contenant de l'azote A forme une structure π-conjuguée.
(JA)
高い研磨レートと優れたHLM周縁の隆起解消性とを両立して達成し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、シリコン基板の予備研磨工程に使用される。上記研磨用組成物は、砥粒、塩基性化合物および含窒素有機化合物Aを含み、上記含窒素有機化合物Aは、該含窒素有機化合物Aに含まれる少なくとも1つの窒素原子がπ共役系構造を構成している化合物である。
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