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1. WO2020162011 - ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, SYSTÈME DE TRANSMISSION OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2020/162011
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047233
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
H01L 31/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
H01L 31/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Déposants
  • 富士ゼロックス株式会社 FUJI XEROX CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 稲田 智志 INADA Satoshi
  • 大野 健一 ONO Kenichi
  • 皆見 健史 MINAMIRU Takeshi
  • 村上 朱実 MURAKAMI Akemi
  • 早川 純一朗 HAYAKAWA Junichiro
  • 大塚 勤 OTSUKA Tsutomu
Mandataires
  • 特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.
Données relatives à la priorité
2019-02103207.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, SYSTÈME DE TRANSMISSION OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体素子、光半導体装置、光伝送システム、および光半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
This optical semiconductor element is provided with: a semi-insulating semiconductor substrate; a columnar body which is formed on a front surface side of the semiconductor substrate and emits or receives light from the front surface side; a front surface-side electrode connected to the columnar body; a back surface-side electrode formed on a back surface side of the semiconductor substrate; and an electrically conductive member which penetrates through the semiconductor substrate and connects the front surface-side electrode and the back surface-side electrode, and which includes a protruding portion protruding on the front surface side of the semiconductor substrate.
(FR)
Selon l'invention, un élément semi-conducteur optique comprend : un substrat semi-conducteur semi-isolant ; un corps en colonne qui est formé sur un côté de surface avant du substrat semi-conducteur et émet ou reçoit de la lumière à partir du côté de surface avant ; une électrode de côté de surface avant connectée au corps en colonne ; une électrode de côté de surface arrière formée sur un côté de surface arrière du substrat semi-conducteur ; et un élément électroconducteur qui traverse le substrat semi-conducteur et connecte l'électrode de côté de surface avant et l'électrode de côté de surface arrière, et qui contient une partie en saillie dépassant sur le côté de surface avant du substrat semi-conducteur.
(JA)
光半導体素子は、半絶縁性の半導体基板と、半導体基板の表面側に形成され、表面側から光を出射または受光する柱状体と、柱状体と接続された表面側の電極と、半導体基板の裏面側に形成された裏面側の電極と、半導体基板を貫通して表面側の電極と裏面側の電極を接続するとともに、半導体基板の表面側に突出した突出部を有する導電部材と、を備える。
Également publié en tant que
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