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1. WO2020161997 - SUBSTANCE PIÉZOÉLECTRIQUE DE NITRURE ET DISPOSITIF MEMS L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/161997
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046057
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
B81B 3/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
H01L 41/09 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
09à entrée électrique et sortie mécanique
H01L 41/113 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
113à entrée mécanique et sortie électrique
H01L 41/187 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16Emploi de matériaux spécifiés
18pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187Compositions céramiques
CPC
B81B 3/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
H01L 41/09
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
09with electrical input and mechanical output ; , e.g. actuators, vibrators
H01L 41/113
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
113with mechanical input and electrical output ; , e.g. generators, sensors
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
Déposants
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山田 浩志 YAMADA Hiroshi
  • 江藤 和也 ETOU Kazuya
  • 平田 研二 HIRATA Kenji
  • 上原 雅人 UEHARA Masato
  • アンガライニ スリ アユ Anggraini Sri Ayu
  • 秋山 守人 AKIYAMA Morito
Mandataires
  • 高松 孝行 TAKAMATSU Takayuki
  • 鈴木 徳子 SUZUKI Tokuko
Données relatives à la priorité
2019-02027307.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE PIEZOELECTRIC SUBSTANCE AND MEMS DEVICE USING SAME
(FR) SUBSTANCE PIÉZOÉLECTRIQUE DE NITRURE ET DISPOSITIF MEMS L'UTILISANT
(JA) 窒化物圧電体およびそれを用いたMEMSデバイス
Abrégé
(EN)
[Problem] The purpose of the present invention is to provide: a nitride piezoelectric substance having a piezoelectric constant d33 higher than that of aluminum nitride having added thereto scandium at the same concentration; and a MEMS device using said nitride piezoelectric substance. [Solution] This nitride piezoelectric substance is represented by chemical formula Al1-XZrXN, wherein X is in a range of more than 0 but less than 0.4.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir : une substance piézoélectrique de nitrure ayant une constante piézoélectrique d33 supérieure à celle du nitrure d'aluminium à laquelle est ajouté du scandium à la même concentration ; et un dispositif MEMS utilisant ladite substance piézoélectrique de nitrure. À cet effet, l'invention propose une substance piézoélectrique de nitrure représentée par la formule chimique Al1-XZrXN, dans laquelle X se situe dans une plage de valeurs supérieures à 0 mais inférieures à 0,4.
(JA)
【課題】同濃度のスカンジウムを添加した窒化アルミニウムよりも高い圧電定数d33を有する窒化物圧電体およびそれを用いたMEMSデバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】窒化物圧電体が化学式Al1-XZrNで表され、Xは0より大きく0.4より小さい範囲にある。
Également publié en tant que
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