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1. WO2020161919 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2020/161919
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/004749
Date du dépôt international 08.02.2019
CIB
H01L 21/683 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
H01J 37/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
H01J 37/32183
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
32183Matching circuits, impedance matching circuits per se H03H7/38 and H03H7/40
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32577
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32577Electrical connecting means
H01J 37/32642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
32642Focus rings
H01J 37/32715
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
Déposants
  • 株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 一野 貴雅 ICHINO, Takamasa
  • 佐藤 浩平 SATO, Kohei
  • 中本 和則 NAKAMOTO, Kazunori
Mandataires
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abrégé
(EN)
Provided is a plasma treatment device comprising: a treatment chamber wherein a wafer 1 is treated using plasma; a high-frequency power source which supplies high-frequency electricity for generating the plasma; a sample stage 2 which is positioned in the treatment chamber and whereon the wafer 1 is mounted; and a DC power source 106 which is electrically connected to the sample stage 2 and which causes the sample stage 2 to generate an adsorptive power. The sample stage 2 comprises: a protrusion part 201a which adsorbs the wafer 1 by the adsorptive power; and a step part 201b which protrudes from the protrusion part 201a at the lower part of the protrusion part 201a. A ring 5, which can abut the lower surface of the wafer 1, is disposed on the outer side of the protrusion part 201a. When the wafer 1 is adsorbed on the upper surface of the protrusion part 201a of the sample stage 2, a space 7 defined by the wafer 1, the protrusion part 201a, and the ring 5 is sealed.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : une chambre de traitement dans laquelle une tranche 1 est traitée à l'aide de plasma ; une source d'énergie haute fréquence qui fournit de l'électricité haute fréquence pour générer le plasma ; un étage d'échantillon 2 qui est positionné dans la chambre de traitement et sur lequel la tranche 1 est montée ; et une source d'alimentation CC 106 qui est connectée électriquement à l'étage d'échantillon 2 et qui amène l'étage d'échantillon 2 à générer une puissance d'adsorption. L'étage d'échantillon 2 comprend : une partie saillante 201a qui adsorbe la tranche 1 par la puissance d'adsorption ; et une partie d'étage 201b qui fait saillie à partir de la partie saillante 201a au niveau de la partie inférieure de la partie saillante 201a. Une bague 5, qui peut venir en butée contre la surface inférieure de la tranche 1, est disposée sur le côté extérieur de la partie saillante 201a. Lorsque la tranche 1 est adsorbée sur la surface supérieure de la partie saillante 201a de l'étage d'échantillon 2, un espace 7 défini par la tranche 1, la partie saillante et la bague 5 est scellé.
(JA)
プラズマを用いてウエハ1が処理される処理室と、上記プラズマを生成する高周波電力を供給する高周波電源と、上記処理室に配置され、かつウエハ1が載置される試料台2と、試料台2と電気的に接続され、かつ試料台2に吸着力を発生させる直流電源106と、を有するプラズマ処理装置である。試料台2は、上記吸着力によってウエハ1を吸着する凸部201aと、凸部201aの下部において凸部201aから迫り出した段差部201bと、を備え、凸部201aの外側には、ウエハ1の下面と接触可能なリング5が設けられており、ウエハ1が試料台2の凸部201aの上面に吸着された状態で、ウエハ1と凸部201aとリング5とによって形成される空間部7が密閉されている。
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