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1. WO2020161887 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE GRAVURE ET DÉTECTEUR

Numéro de publication WO/2020/161887
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/004629
Date du dépôt international 08.02.2019
CIB
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
G01B 11/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
06for measuring thickness ; ; e.g. of sheet material
H01J 2237/334
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
H01J 37/32926
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32926Software, data control or modelling
H01J 37/3299
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
3299Feedback systems
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
Déposants
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 江藤 宗一郎 ETO, Soichiro
  • 峯邑 浩行 MINEMURA, Hiroyuki
  • 臼井 建人 USUI, Tatehito
Mandataires
  • 特許業務法人第一国際特許事務所 Patent Corporate Body Dai-ichi Kokusai Tokkyo Jimusho
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING PROCESSING DEVICE, ETCHING PROCESSING METHOD AND DETECTOR
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE GRAVURE ET DÉTECTEUR
(JA) エッチング処理装置、エッチング処理方法および検出器
Abrégé
(EN)
In film thickness/depth measurement of a wafer in processing during etching, because the detected light intensity amount fluctuates and the measurement accuracy of the film thickness/depth decreases due to fluctuations in light intensity of the light source and fluctuations in the air of the region through which the light passes, the total light intensity or average light intensity at a given frequency is calculated from the spectroscopic spectrum measured at each time during etching processing; a present-time estimated total light intensity or estimated average light intensity, estimated using the total light intensity or average light intensity measured in the past prior to the present time is calculated; a change ratio is calculated, which is the ratio of the present-time total light intensity and estimated total light intensity, or the ratio of the average light intensity and the estimated average light intensity; the light intensity at each for wavelength at the present time is corrected using the calculated change ratio; and film thickness/depth measurement is carried out using the corrected light intensity at each wavelength.
(FR)
Dans la mesure de l'épaisseur/la profondeur de film d'une tranche lors du traitement pendant la gravure, comme la valeur de l'intensité lumineuse détectée fluctue et que la précision de mesure de l'épaisseur/la profondeur du film diminue en raison des fluctuations de l'intensité lumineuse de la source lumineuse et des fluctuations dans l'air de la région à travers laquelle passe la lumière, l'intensité lumineuse totale ou l'intensité lumineuse moyenne à une fréquence donnée est calculée à partir du spectre spectroscopique mesuré à chaque instant pendant le traitement de gravure; une intensité lumineuse totale estimée à l'instant présent ou une intensité lumineuse moyenne estimée, estimées à l'aide de l'intensité lumineuse totale ou de l'intensité lumineuse moyenne mesurées dans le passé avant l'instant présent est calculée; un rapport de variation, qui est le rapport entre l'intensité lumineuse totale à l'instant présent et l'intensité lumineuse totale estimée, ou le rapport entre l'intensité lumineuse moyenne et l'intensité lumineuse moyenne estimée, est calculé; l'intensité lumineuse à chaque longueur d'onde à l'instant présent est corrigée à l'aide du rapport de variation calculé; et une mesure de l'épaisseur/la profondeur du film est réalisée en utilisant l'intensité lumineuse corrigée à chaque longueur d'onde.
(JA)
エッチングにおける処理中のウェハの膜厚・深さ測定では光源の光量揺らぎ、光が通過する領域の空気の揺らぎなどによって検出光量に変動が発生し、膜厚・深さの測定精度が低下するため、エッチング処理中の各時刻にて測定する分光スペクトルから任意の波長の総光量又は平均光量を算出し、現時刻より過去に測定した総光量又は平均光量を用いて推定される現時刻の推定総光量又は推定平均光量を算出し、現時刻の総光量と推定総光量の比、又は平均光量と推定平均光量の比である変化率を算出し、算出した変化率を用いて現時刻の各波長の光量を補正し、補正した各波長の光量を用いて膜厚・深さ測定を実施する。
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