(EN) A method for fabricating a connected network of oxide-coated semiconductor structure, comprising:preparing a first solution comprising a nanocrystalline material and a first solvent; preparing a second solution comprising a surfactant and a second solvent;adding the first solution and a bifunctional linker to the second solution, thereby preparing a third solution; adding a catalyst, water and a silicate to the third solution;there by preparing a connected network of oxide-coated semiconductor structure;wherein the ratio of the water to surfactant is more than 3.5.Furthermore, an oxide-coated semiconductor structure and a light source comprising an oxide-coated semiconductor structure are described herein.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un réseau connecté de structure semi-conductrice revêtue d'oxyde, consistant à : préparer une première solution comprenant un matériau nanocristallin et un premier solvant ; préparer une deuxième solution comprenant un tensioactif et un second solvant ; ajouter la première solution et un coupleur bifonctionnel à la deuxième solution, ce qui permet de préparer une troisième solution ; ajouter un catalyseur, de l'eau et un silicate à la troisième solution ; préparer ainsi un réseau connecté de structure semi-conductrice revêtue d'oxyde ; le rapport de l'eau au tensioactif étant supérieur à 3.5. D'autre part, la présente invention concerne une structure semi-conductrice revêtue d'oxyde et une source de lumière comprenant une structure semi-conductrice revêtue d'oxyde.