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1. WO2020161085 - FOUR D'OXYDATION LATÉRALE DE VCSEL AVEC MODIFICATION LOCALE DE LA VITESSE D'OXYDATION

Numéro de publication WO/2020/161085
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/052642
Date du dépôt international 03.02.2020
CIB
H01L 21/67 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01S 5/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
H01L 21/68785
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68785characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
H01S 5/18311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
183having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18311using selective oxidation
Déposants
  • ALOXTEC [FR]/[FR]
Inventeurs
  • BONNARD, Pierre
  • BRUN, Xavier
Mandataires
  • PINOT, Christophe
  • COLOMBO, Michel
  • BIÉ, Nicolas
Données relatives à la priorité
FR190104004.02.2019FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) VCSEL LATERAL OXIDATION FURNACE WITH LOCAL MODIFICATION OF OXIDATION RATE
(FR) FOUR D'OXYDATION LATÉRALE DE VCSEL AVEC MODIFICATION LOCALE DE LA VITESSE D'OXYDATION
Abrégé
(EN)
This furnace (1) comprises: - an oxidation chamber (2) having an atmosphere (20); - injection means which are arranged to inject a wet gas stream into the oxidation chamber (2); - a heating medium (4) of the susceptor type, which is arranged in the oxidation chamber (2) and comprises an upper surface (40) for supporting a substrate comprising the laser diodes; characterized in that the furnace (1) comprises a set of radiating elements (41) arranged in such a manner that the upper surface (40) comprises heating zones (ZC1, ZC2) having different temperatures.
(FR)
Ce four (1) comporte : - une chambre d'oxydation (2), comprenant une atmosphère (20); - des moyens d'injection, agencés pour injecter un flux gazeux humide dans la chambre d'oxydation (2); - un support chauffant (4), de type suscepteur, agencé dans la chambre d'oxydation (2), et comprenant une surface supérieure (40) destinée à supporter un substrat comprenant les diodes laser; remarquable en ce que le four (1) comprend un ensemble d'éléments rayonnants (41) agencé de sorte que la surface supérieure (40) présente des zones de chauffage (ZC1, ZC2) possédant des températures différentes.
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