Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020160925 - COMPOSANT ÉLECTRO-ACOUSTIQUE, FILTRE RF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/160925
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/051664
Date du dépôt international 23.01.2020
CIB
H03H 9/05 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
05Supports
H03H 9/17 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17ayant un résonateur unique
H03H 9/56 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46Filtres
54comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
56Filtres à cristaux monolithiques
H03H 9/58 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46Filtres
54comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
58Filtres à cristaux multiples
H03H 9/60 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46Filtres
54comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
58Filtres à cristaux multiples
60Moyens de couplage pour ces filtres
CPC
H03H 9/0514
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0504for bulk acoustic wave devices
0514consisting of mounting pads or bumps
H03H 9/0542
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
0542consisting of a lateral arrangement
H03H 9/175
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
15Constructional features of resonators consisting of piezo-electric or electrostrictive material
17having a single resonator
171implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
175Acoustic mirrors
H03H 9/564
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
54comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
56Monolithic crystal filters
564implemented with thin-film techniques
H03H 9/568
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
54comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
56Monolithic crystal filters
566Electric coupling means therefor
568consisting of a ladder configuration
H03H 9/589
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
54comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
58Multiple crystal filters
582implemented with thin-film techniques
586Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
589Acoustic mirrors
Déposants
  • RF360 EUROPE GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • MOGILEVSKY, Konstantin
Mandataires
  • HESELBERGER, Johannes
  • RUCKERT, Benjamin
  • ANETSBERGER, Georg
  • MADER, Joachim
  • HAUPT, Christian
Données relatives à la priorité
10 2019 102 694.604.02.2019DE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRO ACOUSTIC COMPONENT, RF FILTER AND METHOD OF MANUFACTURING
(FR) COMPOSANT ÉLECTRO-ACOUSTIQUE, FILTRE RF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
Electro acoustic component, comprising - a carrier substrate (CS), - a first layer stack (BAWR) on or above the carrier substrate, - a second layer stack (EC) on or above the carrier substrate, wherein - the first layer stack comprises a first functional structure (IL) and a second functional structure (TE, BM, PE) arranged on or above the first functional structure, - the second layer stack comprises a raising structure (RS) and a third functional structure (BU, UBM, B) arranged on or above the raising structure, - the raising structure raises the third functional structure to the vertical level of the second functional structure.
(FR)
Composant électro-acoustique, comprenant - un substrat de support (CS), - un premier empilement de couches (BAWR) sur ou au-dessus du substrat de support, - un second empilement de couches (EC) sur ou au-dessus du substrat de support, le premier empilement de couches comprenant une première structure fonctionnelle (IL) et une seconde structure fonctionnelle (TE, BM, PE) disposée sur ou au-dessus de la première structure fonctionnelle, le second empilement de couches comprenant une structure d'élévation (RS) et une troisième structure fonctionnelle (BU, UBM, B) disposée sur ou au-dessus de la structure d'élévation, la structure d'élévation élevant la troisième structure fonctionnelle au niveau vertical de la seconde structure fonctionnelle.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international