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1. WO2020160169 - DISPOSITIF À MÉMOIRE DE GRANDE CAPACITÉ INTÉGRÉE À GRANDE LARGEUR DE BANDE FAISANT APPEL À UN COLLAGE SUR TRANCHE

Numéro de publication WO/2020/160169
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015710
Date du dépôt international 29.01.2020
CIB
H01L 25/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
G11C 5/00 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
G11C 11/00 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
G11C 11/40 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
CPC
G06F 11/1048
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1048using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
G06F 11/1068
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11Error detection; Error correction; Monitoring
07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
1008in individual solid state devices
1068in sector programmable memories, e.g. flash disk
G06F 12/0246
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
023Free address space management
0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
0246in block erasable memory, e.g. flash memory
G06F 12/0802
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
08in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
0802Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
G06F 2212/60
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2212Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
60Details of cache memory
G06F 2212/72
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2212Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
72Details relating to flash memory management
Déposants
  • SUNRISE MEMORY CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • QUADER, Khandker Nazrul
  • NORMAN, Robert
  • LEE, Frank Sai-Keung
  • PETTI, Christopher J.
  • HERNER, Scott Brad
  • CHAN, Siu Lung
  • SALAHUDDIN, Sayeef
  • MOFIDI, Mehrdad
  • HARARI, Eli
Mandataires
  • KWOK, Edward C.
  • VLP LAW GROUP, LLP
Données relatives à la priorité
62/798,67330.01.2019US
62/803,68911.02.2019US
62/843,73306.05.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE WITH EMBEDDED HIGH-BANDWIDTH, HIGH-CAPACITY MEMORY USING WAFER BONDING
(FR) DISPOSITIF À MÉMOIRE DE GRANDE CAPACITÉ INTÉGRÉE À GRANDE LARGEUR DE BANDE FAISANT APPEL À UN COLLAGE SUR TRANCHE
Abrégé
(EN)
An electronic device with embedded access to a high-bandwidth, high-capacity fast-access memory includes (a) a memory circuit fabricated on a first semiconductor die, wherein the memory circuit includes numerous modular memory units, each modular memory unit having (i) a three-dimensional array of storage transistors, and (ii) a group of conductors exposed to a surface of the first semiconductor die, the group of conductors being configured for communicating control, address and data signals associated the memory unit; and (b) a logic circuit fabricated on a second semiconductor die, wherein the logic circuit also includes conductors each exposed at a surface of the second semiconductor die, wherein the first and second semiconductor dies are wafer-bonded, such that the conductors exposed at the surface of the first semiconductor die are each electrically connected to a corresponding one of the conductors exposed to the surface of the second semiconductor die. The three-dimensional array of storage transistors may be formed by NOR memory strings.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électronique à accès intégré à une mémoire à accès rapide de grande capacité à grande largeur de bande comprenant (a) un circuit de mémoire fabriqué sur une première puce semi-conductrice, le circuit de mémoire comprenant de nombreuses unités de mémoire modulaires, chaque unité de mémoire modulaire comportant (i) un réseau tridimensionnel de transistors de mémorisation, et (ii) un groupe de conducteurs exposés à une surface de la première puce semi-conductrice, le groupe de conducteurs étant configuré pour communiquer des signaux de commande, d'adresse et de données associés à l'unité de mémoire; et (b) un circuit logique fabriqué sur une seconde puce semi-conductrice, le circuit logique comprenant également des conducteurs qui sont individuellement exposés au niveau d'une surface de la seconde puce semi-conductrice, les première et seconde puces semi-conductrices étant collées sur tranche, de sorte que les conducteurs exposés à la surface de la première puce semi-conductrice soient individuellement électriquement connectés à un conducteur correspondant parmi les conducteurs exposés à la surface de la seconde puce semi-conductrice. Le réseau tridimensionnel de transistors de mémorisation peut être formé par des chaînes de mémoires NOR.
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