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1. WO2020160029 - OPTIMISATION DE PROCESSUS DE REMPLISSAGE À L'AIDE D'UNE MODÉLISATION À L'ÉCHELLE D'ÉLÉMENTS

Numéro de publication WO/2020/160029
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015464
Date du dépôt international 28.01.2020
CIB
H01L 21/67 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
G06F 30/20 2020.1
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
30Conception assistée par ordinateur
20Optimisation, vérification ou simulation de l’objet conçu
CPC
G06F 30/33
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
32Circuit design at the digital level
33Design verification, e.g. functional simulation or model checking
G06F 30/39
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
39Circuit design at the physical level
H01L 21/76879
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
76879by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
H01L 21/76883
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
76883Post-treatment or after-treatment of the conductive material
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • BOWES, Michael
  • BASU, Atashi
  • SAWLANI, Kapil
  • LI, Dongyao
  • CHANDRASHEKAR, Anand
  • FRIED, David M.
  • DANEK, Michal
Mandataires
  • BERGIN, Denise S.
  • WEAVER, Jeffrey K.
  • AUSTIN, James E.
  • VILLENEUVE, Joseph M.
  • SAMPSON, Roger S.
  • GRIFFITH, John F.
  • SCHOLZ, Christian D.
Données relatives à la priorité
16/260,87029.01.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FILL PROCESS OPTIMIZATION USING FEATURE SCALE MODELING
(FR) OPTIMISATION DE PROCESSUS DE REMPLISSAGE À L'AIDE D'UNE MODÉLISATION À L'ÉCHELLE D'ÉLÉMENTS
Abrégé
(EN)
Provided herein are systems and methods for optimizing feature fill processes. The feature fill optimization systems and methods may be used to optimize feature fill from a small number of patterned wafer tests. The systems and methods may be used for optimizing enhanced feature fill processes including those that include inhibition and/or etch operations along with deposition operations. Results from experiments may be used to calibrate a feature scale behavioral model. Once calibrated, parameter space may be iteratively explored to optimize the process.
(FR)
La présente invention concerne des systèmes et des procédés d'optimisation de processus de remplissage d'éléments. Les systèmes et procédés d'optimisation de remplissage d'éléments peuvent permettre d'optimiser le remplissage d'éléments d'un petit nombre d'essais de tranches à motifs. Les systèmes et les procédés peuvent permettre d'optimiser des processus de remplissage d'éléments améliorés y compris ceux qui comprennent des opérations d'inhibition et/ou de gravure conjointement avec des opérations de dépôt. Des résultats d'expériences peuvent servir à étalonner un modèle comportemental à l'échelle d'éléments. Une fois étalonné, l'espace de paramètres peut être exploré de manière itérative en vue de l'optimisation du processus.
Également publié en tant que
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