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1. WO2020159863 - DÉCALEUR HAUTE TENSION À COMPENSATION DE DÉGRADATION

Numéro de publication WO/2020/159863
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015196
Date du dépôt international 27.01.2020
CIB
G11C 5/14 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14Dispositions pour l'alimentation
G11C 29/02 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
02Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
CPC
G11C 16/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
08Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
G11C 16/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
16for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
G11C 16/24
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
24Bit-line control circuits
G11C 16/26
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
26Sensing or reading circuits; Data output circuits
G11C 16/30
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
G11C 16/32
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
32Timing circuits
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • YAMADA, Shigekazu
Mandataires
  • PERDOK, Monique M.
  • ARORA, Suneel / U.S. Reg. No. 42,267
  • BEEKMAN, Marvin / U.S. Reg. No. 38,377
  • BLACK, David W. / U.S. Reg. No. 42,331
  • LANG, Roger / U.S. Reg. No. 58,829
  • SCHEER, Bradley W. / U.S. Reg. No. 47,059
Données relatives à la priorité
16/259,61028.01.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-VOLTAGE SHIFTER WITH DEGRADATION COMPENSATION
(FR) DÉCALEUR HAUTE TENSION À COMPENSATION DE DÉGRADATION
Abrégé
(EN)
Discussed herein are systems and methods for compensating degradation of a transistor in a high-voltage (HV) shifter configured to transfer an input voltage to an access line, such as a global wordline. An embodiment of a memory device comprises a group of memory cells, and a HV shifter circuit including a signal transfer circuit and a compensator circuit. The signal transfer circuit includes a P-channel transistor to transfer a high-voltage input to an access line. The compensator circuit can provide a control signal to the signal transfer circuit by coupling a support voltage higher than a supply voltage (Vcc) to the signal transfer circuit for a specified time period to compensate for degradation of the P-channel transistor. The transferred high voltage is used to charge the access line to selectively read, program, or erase memory cells.
(FR)
L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de compenser la dégradation d'un transistor dans un décaleur haute tension (HV) configuré pour transférer une tension d'entrée à une ligne d'accès, telle qu'une ligne de mots globale. Selon un mode de réalisation, un dispositif de mémoire comprend un groupe de cellules de mémoire, et un circuit de décalage HV comprenant un circuit de transfert de signal et un circuit de compensation. Le circuit de transfert de signal comprend un transistor à canal P afin de transférer une entrée haute tension à une ligne d'accès. Le circuit de compensation peut fournir un signal de commande au circuit de transfert de signal par couplage d'une tension de support supérieure à une tension d'alimentation (Vcc) au circuit de transfert de signal pendant une période de temps spécifiée pour compenser la dégradation du transistor à canal P. La haute tension transférée est utilisée pour charger la ligne d'accès afin de lire, de programmer ou d'effacer sélectivement des cellules de mémoire.
Également publié en tant que
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