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1. WO2020159626 - SYSTÈME DE POLISSAGE, TAMPON DE POLISSAGE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS

Numéro de publication WO/2020/159626
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/065696
Date du dépôt international 11.12.2019
CIB
B24B 37/24 2012.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
11Outils de rodage
20Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes
24caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B24B 21/04 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
21Machines ou dispositifs utilisant des bandes de meulage ou de polissage; Accessoires à cet effet
04pour meuler des surfaces planes
B24B 49/16 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
49Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
16tenant compte de la pression de travail
CPC
B24B 37/005
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
005Control means for lapping machines or devices
B24B 37/26
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
26characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
B24B 41/06
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
41Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
06Work supports, e.g. adjustable steadies
H01L 21/30625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BARKAM, Swetha
  • LOW, Khiam-How
  • CULTRA, James A.
Mandataires
  • WOODHOUSE, Kyle M.
  • BAKER, Gregory C.
  • BEZDJIAN, Daniel J.
  • FLORES, Jesse M.
  • GUNN, J. Jeffrey
  • HAMER, Katherine A.
  • SCHIERMAN, Elizabeth Herbst
  • WALKOWSKI, Joseph A.
  • WATSON, James C.
  • WOODHOUSE, Kyle M.
Données relatives à la priorité
16/259,83228.01.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING SYSTEM, POLISHING PAD, AND RELATED METHODS
(FR) SYSTÈME DE POLISSAGE, TAMPON DE POLISSAGE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé
(EN)
This application relates to a polishing system, polishing pad and related methods. A chemical-mechanical polishing system includes a rotatable head for mounting a wafer thereto, a polishing pad mounted to a rotatable platen, and a fluid dispenser for dispensing a fluid onto a surface of the polishing pad. The polishing pad includes an array of piezoelectric actuators. The chemical-mechanical polishing system include a controller operably coupled to each piezoelectric actuator. The controller measures voltages output by the piezoelectric actuators of the array, determines, qualitatively, a topography of the wafer surface based on the measured voltages, and adjusts an aggressiveness of at least one portion of the polishing pad based on the determined topography. The controller adjusts the aggressiveness by inducing the piezoelectric effect or reverse piezoelectric effect in one or more piezoelectric actuators to adjust a surface topography of the polishing pad.
(FR)
L'invention concerne un système de polissage, un tampon de polissage et des procédés associés. Un système de polissage chimico-mécanique comprend une tête rotative pour monter une tranche sur celle-ci, un tampon de polissage monté sur un plateau rotatif, et un distributeur de fluide pour distribuer un fluide sur une surface du tampon de polissage. Le tampon de polissage comprend un réseau d'actionneurs piézoélectriques. Le système de polissage chimico-mécanique comprend un dispositif de commande couplé de manière fonctionnelle à chaque actionneur piézoélectrique. Le dispositif de commande mesure les tensions délivrées par les actionneurs piézoélectriques du réseau, détermine, qualitativement, une topographie de la surface de tranche sur la base des tensions mesurées, et ajuste l'agressivité d'au moins une partie du tampon de polissage sur la base de la topographie déterminée. Le dispositif de commande ajuste l'agressivité en induisant l'effet piézoélectrique ou l'effet piézoélectrique inverse dans un ou plusieurs actionneurs piézoélectriques pour ajuster la topographie de surface du tampon de polissage.
Également publié en tant que
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