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1. WO2020159596 - RÉSOLUTION À L'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE, MODULATION DE CONDUCTIVITÉ À COMMANDE SPATIALE DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES À L'AIDE D'UN FAISCEAU IONIQUE FOCALISÉ

Numéro de publication WO/2020/159596
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/060183
Date du dépôt international 07.11.2019
CIB
H01L 21/683 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H01L 25/075 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
H01L 25/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
CPC
H01L 21/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
42Bombardment with radiation
Déposants
  • NORTHWESTERN UNIVERSITY [US]/[US]
Inventeurs
  • MOHSENI, Hooman
  • BIANCONI, Simone
Mandataires
  • POREMBSKI, N. Meredith
  • BELL, Callie M.
  • KALAFUT, Christopher
  • MANNING, Michelle
Données relatives à la priorité
62/760,99314.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NANOSCALE RESOLUTION, SPATIALLY-CONTROLLED CONDUCTIVITY MODULATION OF DIELECTRIC MATERIALS USING A FOCUSED ION BEAM
(FR) RÉSOLUTION À L'ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE, MODULATION DE CONDUCTIVITÉ À COMMANDE SPATIALE DE MATÉRIAUX DIÉLECTRIQUES À L'AIDE D'UN FAISCEAU IONIQUE FOCALISÉ
Abrégé
(EN)
Methods for creating a conductive feature in a dielectric material are provided. In an embodiment, such a method comprises irradiating a region of a dielectric material having a resistivity of at least 108 W cm with a focused ion beam, the irradiated region corresponding to a conductive feature embedded in the dielectric material, the conductive feature having a conductivity greater than that of the dielectric material; and forming one or more contact pads of a conductive material in electrical communication with the conductive feature, the one or more contact pads configured to apply a voltage across the conductive feature using a voltage source.
(FR)
L'invention concerne des procédés de création d'un élément conducteur dans un matériau diélectrique. Dans un mode de réalisation, un tel procédé comprend l'irradiation d'une région d'un matériau diélectrique ayant une résistivité d'au moins 108 W cm avec un faisceau d'ions focalisé, la région irradiée correspondant à une caractéristique conductrice incorporée dans le matériau diélectrique, la caractéristique conductrice ayant une conductivité supérieure à celle du matériau diélectrique ; et la formation d'un ou plusieurs plots de contact d'un matériau conducteur en communication électrique avec la caractéristique conductrice, le ou les plots de contact étant configurés pour appliquer une tension à travers la caractéristique conductrice à l'aide d'une source de tension.
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