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1. WO2020159068 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2020/159068
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/017219
Date du dépôt international 06.12.2019
CIB
H01L 33/38 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/62 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/10 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/60 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
60Éléments réfléchissants
H01L 33/36 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
CPC
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H01L 33/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/60
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
60Reflective elements
Déposants
  • 서울바이오시스주식회사 SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 김재권 KIM, Jae Kwon
  • 허민찬 HEO, Min Chan
  • 김경완 KIM, Kyoung Wan
  • 김종규 KIM, Jong Kyu
  • 김현아 KIM, Hyun A
  • 이준섭 LEE, Joon Sup
Mandataires
  • 특허법인에이아이피 AIP PATENT & LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2019-001266631.01.2019KR
10-2019-001298831.01.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(KO) 발광 다이오드
Abrégé
(EN)
A light-emitting diode according to an embodiment comprises: a first-conductive-type semiconductor layer; a mesa which is located on the first-conductive-type semiconductor layer and comprises an active layer and a second-conductive-type semiconductor layer; and a lower insulating layer which covers the mesa and at least a portion of the first-conductive-type semiconductor layer exposed around the mesa and which has a first opening for allowing electrical connection to the first-conductive-type semiconductor layer and a second opening for allowing electrical connection to the second-conductive-type semiconductor layer. The active layer generates light having the peak wavelength of 500 nm or less, the lower insulating layer comprises a distributed Bragg reflector, and the lower insulating layer has a high-reflection wavelength band continuously exhibiting a reflection ratio of 90% or more within the wavelength range of the visible region. Within the high-reflection wavelength band, reflection ratios in a first wavelength region including the peak wavelength of light generated in the active layer are greater than reflection ratios in a second region of wavelengths within the range of 554-700 nm, and the first wavelength region is located in a region of wavelengths shorter than 554 nm.
(FR)
Un mode de réalisation de l'invention concerne une diode électroluminescente qui comprend : une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité ; un mésa qui est situé sur la couche semi-conductrice du premier type de conductivité et comprend une couche active et une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité ; et une couche isolante inférieure qui recouvre le mésa et au moins une partie de la couche semi-conductrice du premier type de conductivité apparente autour du mésa et qui présente une première ouverture pour permettre la connexion électrique à la couche semi-conductrice du premier type de conductivité et une seconde ouverture pour permettre la connexion électrique à la couche semi-conductrice du second type de conductivité. La couche active génère de la lumière ayant une longueur d'onde maximale égale ou inférieure à 500 nm, la couche isolante inférieure comprend un réflecteur Bragg réparti et la couche isolante inférieure présente une bande de longueur d'onde haute réflexion présentant en continu un taux de réflexion égal ou supérieur à 90 % dans la plage de longueurs d'onde de la région visible. Dans la bande de longueur d'onde haute réflexion, des taux de réflexion dans une première région de longueurs d'onde comprenant la longueur d'onde maximale de la lumière générée dans la couche active sont supérieurs à des taux de réflexion dans une seconde région de longueurs d'onde dans la plage de 554 à 700 nm, et la première région de longueurs d'onde est située dans une région de longueurs d'onde plus courtes que 554 nm.
(KO)
일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 및 메사 및 메사 주위에 노출된 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부를 덮으며, 제1 도전형 반도체층에 전기적 접속을 허용하기 위한 제1 개구부 및 제2 도전형 반도체층에 전기적 접속을 허용하기 위한 제2 개구부를 갖는 하부 절연층을 포함하고, 활성층은 500nm 이하의 피크 파장을 갖는 광을 생성하고, 하부 절연층은 분포 브래그 반사기를 포함하며, 하부 절연층은 가시 영역의 파장 범위에서 연속적으로 90% 이상의 반사율을 나타내는 고반사 파장 대역을 가지며, 고반사 파장 대역 내에서 활성층에서 생성된 광의 피크 파장을 포함하는 제1 파장 영역에서의 반사율들이 554nm 내지 700nm 범위 내의 제2 파장 영역에서의 반사율들보다 높으며, 제1 파장 영역은 554nm 보다 단파장 영역에 위치한다.
Également publié en tant que
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