Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020158431 - LASER ACCORDABLE

Numéro de publication WO/2020/158431
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/001400
Date du dépôt international 17.01.2020
CIB
H01S 5/026 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/0687 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
068Stabilisation des paramètres de sortie du laser
0683en surveillant les paramètres optiques de sortie
0687Stabilisation de la fréquence du laser
H01S 5/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
G02F 1/025 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
015basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel, p.ex. jonction PN, PIN
025dans une structure de guide d'ondes optique
CPC
G02F 1/025
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
015based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
025in an optical waveguide structure
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
H01S 5/0687
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
068Stabilisation of laser output parameters
0683by monitoring the optical output parameters
0687Stabilising the frequency of the laser
H01S 5/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Déposants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 相原 卓磨 AIHARA Takuma
  • 松尾 慎治 MATSUO Shinji
  • 硴塚 孝明 KAKITSUKA Takaaki
  • 土澤 泰 TSUCHIZAWA Tai
  • 開 達郎 HIRAKI Tatsuro
Mandataires
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 工藤 理恵 KUDO Rie
Données relatives à la priorité
2019-01687001.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TUNABLE LASER
(FR) LASER ACCORDABLE
(JA) 波長可変レーザ
Abrégé
(EN)
Provided is a tunable laser with which emission wavelength can be controlled at high speed and that at the same time prevents degradation in the fundamental laser properties. The tunable laser comprises: a semiconductor gain section 20 composed of a III–V compound semiconductor; an optical feedback section 30 that diffracts light generated in the semiconductor gain section 20 and feeds the diffracted light back to the semiconductor gain section 20; and an optical modulation section 10 that includes an optical waveguide 25 containing indirect-bandgap doped silicon. The semiconductor gain section 20 and the optical modulation section 10 are disposed so that the transverse modes overlap, and the semiconductor gain section 20 is constituted by a buried active-layer thin film of the lateral current injection type.
(FR)
L'invention concerne un laser accordable à l'aide duquel la longueur d'onde d'émission peut être commandée à grande vitesse et qui, en même temps, empêche la dégradation des propriétés fondamentales du laser. Le laser accordable comprend : une section de gain à semi-conducteur (20) composée d'un semi-conducteur de composé III-V ; une section de rétroaction optique (30) qui diffracte la lumière générée dans la section de gain à semi-conducteur (20) et transmet la lumière diffractée à la section de gain à semi-conducteur (20) ; et une section de modulation optique (10) qui comprend un guide d'onde optique (25) contenant du silicium dopé à bande interdite indirecte. La section de gain à semi-conducteur (20) et la section de modulation optique (10) sont disposées de telle sorte que les modes transverses se chevauchent, et la section de gain à semi-conducteur (20) est constituée par un film mince de couche active enterrée du type à injection de courant latérale.
(JA)
レーザの基本特性の劣化を防ぐと共に発振波長の制御を高速に行える波長可変レーザを提供する。III-V族化合物半導体からなる半導体利得部20と、半導体利得部20で生成された光を回折させて半導体利得部20に帰還させる光帰還部30と、間接遷移型のドーピングされたシリコンを含んだ光導波路25を含む光変調部10とを備え、半導体利得部20と光変調部10は、光モードをオーバーラップさせて配置され、半導体利得部20は、横方向電流注入型の埋め込み活性層薄膜で構成される。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international