Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020157600 - DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/157600
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2020/050457
Date du dépôt international 22.01.2020
CIB
H01L 21/8242 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8242Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/108
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
Données relatives à la priorité
2019-01350729.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像装置および電子機器
Abrégé
(EN)
An imaging device which has a memory function is provided. Also, an imaging device suitable for imaging moving bodies is provided. This imaging device has a first layer, a second layer, and a third layer, wherein the second layer is provided between the first layer and the third layer, the first layer has a photoelectric conversion device, the second layer has a first circuit and a second circuit, and the third layer has a third circuit and a fourth circuit. The first circuit and the photoelectric conversion device have the function of generating imaging data, the third circuit has the function of reading out imaging data, the second circuit has the function of storing imaging data read out in the third circuit, the fourth circuit has the function of reading out imaging data stored in the second circuit, and the first circuit and the second circuit have a transistor that comprises a metal oxide in the channel formation region.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie qui a une fonction de mémoire. L'invention concerne également un dispositif d'imagerie approprié pour l'imagerie de corps en mouvement. Ce dispositif d'imagerie comporte une première couche, une deuxième couche et une troisième couche, la deuxième couche étant disposée entre la première couche et la troisième couche, la première couche comporte un dispositif de conversion photoélectrique, la deuxième couche comporte un premier circuit et un deuxième circuit, et la troisième couche comporte un troisième circuit et un quatrième circuit. Le premier circuit et le dispositif de conversion photoélectrique ont pour fonction de générer des données d'imagerie, le troisième circuit a la fonction de lire des données d'imagerie, le deuxième circuit a la fonction de stocker des données d'imagerie lues dans le troisième circuit, le quatrième circuit a la fonction de lire des données d'imagerie stockées dans le deuxieme circuit, et le premier circuit et le deuxieme circuit comprennent un transistor qui comprend un oxyde métallique dans la région de formation de canal.
(JA)
メモリ機能を有する撮像装置を提供する。または、動体の撮像に適した撮像装置を提供する。 第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有する撮像装置であって、第2の層は第1の層と第3の 層との間に設けられ、第1の層は光電変換デバイスを有し、第2の層は第1の回路および第2の回 路を有し、第3の層は第3の回路および第4の回路を有し、第1の回路および光電変換デバイスは 撮像データを生成する機能を有し、第3の回路は撮像データを読み出す機能を有し、第2の回路は 第3の回路で読み出した撮像データを記憶する機能を有し、第4の回路は第2の回路に記憶した撮 像データを読み出す機能を有し、第1の回路および第2の回路は、金属酸化物をチャネル形成領域 に有するトランジスタを有する。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international