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1. WO2020157293 - ENSEMBLE DE STRUCTURES STRATIFIÉES ADJACENTES POUR UN CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTORÉSISTIF, CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ POUR LEUR FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/157293
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/052461
Date du dépôt international 31.01.2020
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.08.2020
CIB
G01R 33/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
CPC
G01R 33/0052
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
0052Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
G01R 33/007
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
007Environmental aspects, e.g. temperature variations, radiation, stray fields
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G01R 33/098
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
098comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
Déposants
  • SENSITEC GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • WAHRHUSEN, Jürgen
  • PAUL, Johannes
Mandataires
  • SPACHMANN, Holger
Données relatives à la priorité
10 2019 102 618.001.02.2019DE
10 2019 107 689.726.03.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) ANORDNUNG BENACHBARTER SCHICHTSTRUKTUREN FÜR EINEN MAGNETORESISTIVEN MAGNETFELDSENSOR, MAGNETORESISTIVER MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) ARRANGEMENT OF ADJACENT LAYER STRUCTURES FOR A MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD SENSOR, MAGNETORESISTIVE MAGNETIC FIELD SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ENSEMBLE DE STRUCTURES STRATIFIÉES ADJACENTES POUR UN CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTORÉSISTIF, CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ POUR LEUR FABRICATION
Abrégé
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung von zumindest zwei benachbart angeordneter Schichtstrukturen für einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor. Dabei umfasst jede Schichtstruktur zumindest eine antiferromagnetische Schicht, eine erste ferromagnetische Schicht mit einem ersten magnetischen Moment. Zwischen der antiferromagnetischen Schicht und der ersten ferromagnetischen Schicht besteht eine Austauschkopplung. Des Weiteren ist eine zweite ferromagnetische Schicht mit einem zweiten magnetischen Moment umfasst, wobei die zweite ferromagnetische Schicht über eine zwischen der ersten und der zweiten ferromagnetischen Schicht angeordneten nichtmagnetischen Kopplungsschicht mit der ersten ferromagnetischen Schicht antiparallel gekoppelt ist. Es wird vorgeschlagen, dass die Magnetisierung der korrespondierten ersten und korrespondierten zweiten ferromagnetischen Schichten der benachbart angeordneten Schichtstrukturen voneinander abweichen, insbesondere im Wesentlichen entgegengesetzt zueinander ausgerichtet sind. Die Erfindung betrifft weiterhin einen magnetoresistiven Magnetfeldsensor mit einer derartigen Anordnung von Schichtstrukturen sowie ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung von Schichtstrukturen und des magnetoresistiven Magnetfeldsensors.
(EN)
The present invention relates to an arrangement of at least two adjacently arranged layer structures for a magnetoresistive magnetic field sensor. In this case, each layer structure comprises at least one antiferromagnetic layer, and a first ferromagnetic layer having a first magnetic moment. There is exchange coupling between the antiferromagnetic layer and the first ferromagnetic layer. Moreover, said structure comprises a second ferromagnetic layer having a second magnetic moment, wherein the second ferromagnetic layer is coupled in antiparallel with the first ferromagnetic layer via a non-magnetic coupling layer arranged between the first and the second ferromagnetic layer. It is proposed that the magnetizations of the corresponding first and corresponding second ferromagnetic layers of the adjacently arranged layer structures deviate from one another, in particular are oriented substantially oppositely to one another. The invention furthermore relates to a magnetoresistive magnetic field sensor comprising such an arrangement of layer structures and to a method for producing the arrangement of layer structures and the magnetoresistive magnetic field sensor.
(FR)
L'invention concerne un ensemble d'au moins deux structures stratifiées disposées de manière adjacente pour un capteur de champ magnétique magnétorésistif. Chaque structure stratifiée comprend au moins une couche antiferromagnétique, une première couche ferromagnétique présentant un premier couple magnétique. Un couplage d'échange est présent entre la couche antiferromagnétique et la première couche ferromagnétique. Par ailleurs, l'invention prévoit une deuxième couche ferromagnétique présentant un deuxième couple magnétique. La deuxième couche ferromagnétique est couplée de manière antiparallèle à la première couche ferromagnétique par l'intermédiaire d'une couche de couplage non magnétique disposée entre la première et la deuxième couche ferromagnétique. L'invention propose que la magnétisation des premières couches ferromagnétiques correspondantes et des deuxièmes couches ferromagnétiques correspondantes des structures stratifiées disposées de manière adjacente divergent l'une de l'autre, en particulier soient orientées de manière sensiblement opposée. L'invention concerne par ailleurs un capteur de champ magnétique magnétorésistif comprenant un ensemble de structures stratifiées de ce type, ainsi qu'un procédé de fabrication de l'ensemble de structures stratifiées et du capteur de champ magnétique magnétorésistif.
Également publié en tant que
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