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1. WO2020155818 - PUCE DE DÉTECTION D'IMAGERIE COUPLÉE À UNE ANTENNE OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2020/155818
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/121169
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
G01J 5/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5Pyrométrie des radiations
G01J 11/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
11Mesure des caractéristiques d'impulsions lumineuses individuelles ou de trains d'impulsions lumineuses
CPC
G01J 11/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
11Measuring the characteristics of individual optical pulses or of optical pulse trains
G01J 5/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
H01L 27/14625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 27/14685
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14685Process for coatings or optical elements
H01Q 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
21Antenna arrays or systems
28Combinations of substantially independent non-interacting antenna units or systems
Déposants
  • 南京奥谱依电子科技有限公司 NANJING OPY ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张新宇 ZHANG, Xinyu
  • 张汤安苏 ZHANG, Tangansu
Mandataires
  • 武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙) WUHAN GENUIRY INTELLECTUAL PROPERTY FIRM (GENERAL PARTNER)
Données relatives à la priorité
201910081938.328.01.2019CN
201910082563.228.01.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING DETECTION CHIP COUPLED WITH OPTICAL ANTENNA, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) PUCE DE DÉTECTION D'IMAGERIE COUPLÉE À UNE ANTENNE OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION CORRESPONDANT
(ZH) 一种耦合光学天线的成像探测芯片及其制备方法
Abrégé
(EN)
An imaging detection chip coupled with an optical antenna, and a preparation method therefor. The imaging detection chip comprises an optical antenna (1) and a photosensitive array (2) which are arranged in parallel. The optical antenna (1) is of an array structure composed of a plurality of antenna elements which are arranged at intervals and electrically connected. The photosensitive array (2) is of an array structure composed of a plurality of photosensitive elements which are arranged at intervals and electrically connected. The optical antenna (1) and the photosensitive array (2) have the same array scale, an antenna element of the optical antenna (1) and the photosensitive element at a corresponding position in the photosensitive array (2) are aligned with each other in the vertical direction, and the antenna element of the optical antenna (1) comprises at least one nano pointed cone of which the top faces are electrically connected with each other. The preparation method for the imaging detection chip comprises the process of manufacturing the optical antenna (1) and the process of integrating the optical antenna (1) and the photosensitive array (2). The imaging detection chip may further comprise a fluorescent film layer (2) array structure. The imaging detection chip has the advantages of high imaging light wave collection efficiency, and high photoelectric sensitivity, and is suitable for visible light and infrared spectrum domains.
(FR)
L'invention concerne une puce de détection d'imagerie couplée à une antenne optique et un procédé de préparation correspondant. La puce de détection d'imagerie comprend une antenne optique (1) et un réseau photosensible (2) agencés en parallèle. L'antenne optique (1) est constituée d'une structure en réseau composée d'une pluralité d'éléments d'antenne agencés à des intervalles et connectés électriquement. Le réseau photosensible (2) constitue une structure en réseau composée d'une pluralité d'éléments photosensibles agencés à des intervalles et connectés électriquement. L'antenne optique (1) et le réseau photosensible (2) présentent la même échelle de réseau, un élément d'antenne de l'antenne optique (1) et l'élément photosensible à une position correspondante dans le réseau photosensible (2) sont alignés l'un sur l'autre dans la direction verticale, et l'élément d'antenne de l'antenne optique (1) comprend au moins un cône pointu nanométrique dont les faces supérieures sont électriquement connectées l'une à l'autre. Le procédé de préparation de la puce de détection d'imagerie comprend le processus de fabrication de l'antenne optique (1) et le processus d'intégration de l'antenne optique (1) et du réseau photosensible (2). La puce de détection d'imagerie peut en outre comprendre une structure en réseau de couches de film fluorescent (2). La puce de détection d'imagerie possède les avantages d'une grande efficacité de captage d'ondes lumineuses d'imagerie et d'une sensibilité photoélectrique élevée, et est adaptée à des domaines de lumière visible et de spectre infrarouge.
(ZH)
一种耦合光学天线的成像探测芯片及其制备方法,成像探测芯片包括平行设置的光学天线(1)和光敏阵列(2),光学天线(1)是由多个彼此间隔且电连接的天线元组成的阵列结构,光敏阵列(2)是由多个彼此间隔且电连接的光敏元组成的阵列结构,光学天线(1)和光敏阵列(2)的阵列规模相同,光学天线(1)的天线元、以及光敏阵列(2)中对应位置处的光敏元在垂直方向上相互对齐,光学天线(1)的天线元包括至少一个顶面彼此电连接的纳米尖锥。成像探测芯片的制备方法包括制作光学天线(1)的过程和集成光学天线(1)与光敏阵列(2)的过程。成像探测芯片还可以包括荧光膜层(2)阵列结构。成像探测芯片具有成像光波收集效能高、光电灵敏度高的优点,且适用于可见光和红外谱域。
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