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1. WO2020155432 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT LEDIT DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2020/155432
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/084135
Date du dépôt international 24.04.2019
CIB
H01L 29/423 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
CPC
H01L 29/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
H01L 29/423
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 朱慧珑 ZHU, Huilong
  • 李晨 LI, Chen
  • 张永奎 ZHANG, Yongkui
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201910108871.803.02.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT LEDIT DISPOSITIF
(ZH) 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
Abrégé
(EN)
A semiconductor device, a fabrication method therefor and an electronic device comprising the semiconductor device. The semiconductor device may comprise: a substrate (1001); an active area that vertically extends on the substrate (1001) and that comprises a first source/drain layer (1005), a channel layer (1007) and a second source/drain layer (1009) that are successively stacked; and a gate stack formed winding around a peripheral sidewall of at least a section of the channel layer (1007). The sidewall of the gate stack that is near a side of the channel layer (1007) is aligned with the peripheral sidewall of the channel layer (1007), and the two thus occupy essentially the same range in the vertical direction, and the section of the gate stack that is near a side of the channel layer (1007) appears as a shape that tapers as said section approaches the channel layer (1007).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, son procédé de fabrication et un dispositif électronique comprenant le dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur peut comprendre : un substrat (1001) ; une zone active qui s'étend verticalement sur le substrat (1001) et qui comprend une première couche de source/drain (1005), une couche de canal (1007) et une seconde couche de source/drain (1009) qui sont empilées successivement ; et un empilement de grille formé d'enroulement autour d'une paroi latérale périphérique d'au moins une section de la couche de canal (1007). La paroi latérale de l'empilement de grille qui est proche d'un côté de la couche de canal (1007) est alignée avec la paroi latérale périphérique de la couche de canal (1007), et les deux occupent ainsi sensiblement la même plage dans la direction verticale, et la section de l'empilement de grille qui est proche d'un côté de la couche de canal (1007) apparaît sous une forme qui s'effile à mesure que ladite section s'approche de la couche de canal (1007).
(ZH)
一种半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。半导体器件可以包括:衬底(1001);在衬底(1001)上竖直延伸的有源区,包括依次叠置的第一源/漏层(1005)、沟道层(1007)和第二源/漏层(1009);绕沟道层(1007)的至少部分外周侧壁形成的栅堆叠(1001)。栅堆叠靠近沟道层(1007)一侧的侧壁与沟道层(1007)的外周侧壁对准从而在竖直方向上占据实质上相同的范围,且栅堆叠在靠近沟道层(1007)一侧的一部分呈现随着靠近沟道层(1007)而渐缩的形状。
Également publié en tant que
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