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1. WO2020155107 - TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CIRCUIT D'ATTAQUE, ET ÉCRAN D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/155107
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/074446
Date du dépôt international 01.02.2019
CIB
H01L 27/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Déposants
  • 深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 晏国文 YAN, Guowen
Mandataires
  • 北京清亦华知识产权代理事务所 (普通合伙) TSINGYIHUA INTELLECTUAL PROPERTY LLC
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, DRIVER CIRCUIT, AND DISPLAY SCREEN
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CIRCUIT D'ATTAQUE, ET ÉCRAN D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制造方法、驱动电路、显示屏
Abrégé
(EN)
A thin film transistor (10) and a manufacturing method therefor, a driver circuit (100), and a display screen (1000). The thin film transistor (10) comprises a substrate (11), a ring-shaped first gate (12) formed on the substrate (11), a buffer layer (13) covering the substrate (11) and the first gate (12), an active layer (14) formed on the buffer layer (13), a ring-shaped gate insulating layer (15) formed on the active layer (14), a ring-shaped second gate (16) formed on the gate insulating layer (15), an interlayer dielectric (17) covered with the active layer (14) and the second gate (16), and a drain (18) and a source (19) formed on the interlayer dielectric (17). The interlayer dielectric (17) is provided with a first opening (172) and a second opening (174). The drain (18) is connected to the active layer (14) through the first opening (172). The source (19) is connected to the active layer (14) through the second opening (174).
(FR)
La présente invention porte sur un transistor à couches minces (20) et son procédé de fabrication, un circuit d'attaque (100), et un écran d'affichage (1000). Le transistor à couches minces (10) comprend un substrat (11), une première grille en forme d'anneau (12) formée sur le substrat (11), une couche tampon (13) recouvrant le substrat (11) et la première grille (12), une couche active (14) formée sur la couche tampon (13), une couche isolante de grille en forme d'anneau (15) formée sur la couche active (14), une deuxième grille en forme d'anneau (16) formée sur la couche d'isolation de grille (15), un diélectrique intercouche (17) recouvert de la couche active (14) et de la deuxième grille (16), et un drain (18) et une source (19) formée sur le diélectrique intercouche (17). Le diélectrique intercouche (17) est pourvue d'une première ouverture (172) et d'une deuxième ouverture (174). Le drain (18) est relié à la couche active (14) à travers la première ouverture (172). La source (19) est reliée à la couche active (14) par l'intermédiaire de la deuxième ouverture (174).
(ZH)
一种薄膜晶体管(10)及其制造方法、驱动电路(100)和显示屏(1000)。薄膜晶体管(10)包括基板(11)、形成在基板(11)上且呈环状的第一栅极(12)、覆盖基板(11)和第一栅极(12)的缓冲层(13)、形成在缓冲层(13)上的有源层(14)、形成在有源层(14)上且呈环状的栅极绝缘层(15)、形成在栅极绝缘层(15)上且呈环状的第二栅极(16)、覆盖有源层(14)和第二栅极(16)的层间电介质(17)、形成在层间电介质(17)上的漏极(18)和源极(19)。层间电介质(17)形成有第一开口(172)和第二开口(174)。漏极(18)通过第一开口(172)与有源层(14)连接。源极(19)通过第二开口(174)与有源层(14)连接。
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