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1. WO2020155032 - PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL SANS RÉSIDU DE CONDUCTEUR PROVOQUÉ PAR BOMBAGE

Numéro de publication WO/2020/155032
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/074221
Date du dépôt international 31.01.2019
CIB
H01L 27/11582 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
11563avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM
11578caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
1158la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés
11582les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
CPC
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/02271
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
02595polycrystalline
H01L 21/31111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
Déposants
  • YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • TANG, Zhao Hui
Mandataires
  • NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR FORMING THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITHOUT CONDUCTOR RESIDUAL CAUSED BY DISHING
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNEL SANS RÉSIDU DE CONDUCTEUR PROVOQUÉ PAR BOMBAGE
Abrégé
(EN)
Three-dimensional (3D) memory devices and methods for forming the same. The methods comprise: a channel structure extending vertically through a dielectric stack including interleaved sacrificial layers and dielectric layers is formed above a substrate; a dummy channel structure extending vertically through the dielectric stack is formed; An elevating dielectric layer is formed on a dummy dielectric layer; a slit opening extending vertically through the elevating dielectric layer; dummy dielectric layer, and dielectric stack is formed; a memory stack including interleaved conductor layers and the dielectric layers is formed above the substrate by gate replacement; a source contact is formed in the slit opening by depositing a source conductor layer on the elevating dielectric layer and in the slit opening; the source conductor layer on the elevating dielectric layer and at least a part of the elevating dielectric layer are removed.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs de mémoires tridimensionnels (3D) et leurs procédés de formation. Les procédés comprennent : une structure de canal s'étendant verticalement à travers un empilement diélectrique comprenant des couches sacrificielles entrelacées et des couches diélectriques est formée au-dessus d'un substrat ; une structure de canal factice s'étendant verticalement à travers l'empilement diélectrique est formée ; une couche diélectrique d'élévation est formée sur une couche diélectrique factice ; une ouverture de fente s'étendant verticalement à travers la couche diélectrique d'élévation ; une couche diélectrique factice, et une empilement diélectrique est formé ; un empilement de mémoire comprenant des couches conductrices entrelacées et les couches diélectriques étant formé au-dessus du substrat par remplacement de grille ; un contact de source est formé dans l'ouverture de fente par dépôt d'une couche conductrice de source sur la couche diélectrique d'élévation et dans l'ouverture de fente ; la couche conductrice de source sur la couche diélectrique d'élévation et au moins une partie de la couche diélectrique d'élévation sont retirées.
Également publié en tant que
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