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1. WO2020154951 - PROCÉDÉ DE MESURE ET DE CALCUL DE TEMPÉRATURE INTRACRÂNIENNE À HAUTE STABILITÉ ET DISPOSITIF DE MESURE

Numéro de publication WO/2020/154951
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/073902
Date du dépôt international 30.01.2019
CIB
G01K 15/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
15Test ou étalonnage des thermomètres
G01K 7/18 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
16utilisant des éléments résistifs
18l'élément étant une résistance linéaire, p.ex. un thermomètre à résistance de platine
G01K 7/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
CPC
G01K 15/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
15Testing or calibrating of thermometers
G01K 7/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
G01K 7/18
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
16using resistive elements
18the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
Déposants
  • 深圳市科曼医疗设备有限公司 SHENZHEN COMEN MEDICAL INSTRUMENTS CO., TD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 黄贤键 HUANG, Xianjian
  • 覃祥书 TAN, Xiangshu
  • 张悦 ZHANG, Yue
Mandataires
  • 深圳市创富知识产权代理有限公司 SHENZHEN CREATEFORTUNE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-STABILITY INTRACRANIAL TEMPERATURE MEASUREMENT AND CALCULATION METHOD AND MEASUREMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE ET DE CALCUL DE TEMPÉRATURE INTRACRÂNIENNE À HAUTE STABILITÉ ET DISPOSITIF DE MESURE
(ZH) 一种高稳定性的颅内温度测量、计算方法及测量装置
Abrégé
(EN)
A high-stability intracranial temperature measurement and calculation method and measurement device (20). For a thermistor (211) of each model at temperature T0, a resistance value R0 and a characteristic value B of the thermistor (211) are each marked with an error range, that is, for thermistors (211) of the same model, errors of the resistance values R0 and the characteristic values B of the thermistors (211) should be considered during a mass production process; the resistance value of the thermistor (211) at T0 temperature is calibrated and recorded by means of a memory, a measured value is calibrated by a correction formula Rx=Rt1*(R0/Rf), and according to a corresponding relationship curve between unknown temperature Tx and Rx, i.e., Rx=R0*e B*(1/Tx-1/T0), more accurate Tx is obtained if Rx is obtained, wherein Tx is the intracranial temperature. The method and measurement device solve the problem in the prior art of high manufacturing cost and low measurement accuracy of intracranial temperature measurement using a thermistor.
(FR)
La présente invention porte sur un procédé de mesure et de calcul de température intracrânienne à haute stabilité et sur un dispositif de mesure (20). Pour une thermistance (211) de chaque modèle à la température T0, une valeur de résistance R0 et une valeur caractéristique B de la thermistance (211) sont chacune marquées avec une plage d'erreur, c'est-à-dire que pour des thermistances (211) du même modèle, les erreurs des valeurs de résistance R0 et les valeurs caractéristiques B des thermistances (211) doivent être considérées pendant un processus de production de masse ; la valeur de résistance de la thermistance (211) à la température T0 est étalonnée et enregistrée au moyen d'une mémoire, une valeur mesurée est étalonnée par une formule de correction Rx = Rt1 * (R0/Rf) et, selon une courbe de relation correspondante entre la température inconnue Tx et Rx, à savoir Rx = R0 * e B * (1/Tx - 1/T0), un Tx plus précis est obtenu si Rx est obtenu, Tx étant la température intracrânienne. Le procédé et le dispositif de mesure résolvent le problème dans l'état de la technique du coût de fabrication élevé et d'une faible précision de mesure de la mesure de température intracrânienne à l'aide d'une thermistance.
(ZH)
一种高稳定性的颅内温度测量、计算方法及测量装置(20),因每一种型号的热敏电阻(211)在温度T0下,热敏电阻(211)的电阻值R0和特性值B均标注有误差范围,也就是同一型号下的热敏电阻(211),在批量生产过程中,需要考虑到热敏电阻(211)的电阻值R0和特性值B存在的误差,通过对T0温度下的热敏电阻(211)的电阻值进行定标,并采用存储器的方式记录下来,通过修正公式:Rx=Rt1*(R0/Rf)对测量值进行校准,通过未知温度Tx与Rx的对应关系曲线即:Rx=R0*e B*(1/Tx-1/T0),在获得Rx的条件下,得出更加准确的Tx,Tx为颅内温度。该方法及测量装置解决了现有技术中通过热敏电阻实现颅内温度测量,其制造成本高、测量精度低的问题。
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