Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020118095 - ARCHITECTURES DE RÉCEPTEUR RF AVEC DES CIRCUITS PARAMÉTRIQUES

Numéro de publication WO/2020/118095
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/064759
Date du dépôt international 05.12.2019
CIB
H04J 3/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
JCOMMUNICATION MULTIPLEX
3Systèmes multiplex à division de temps
02Détails
08Dispositions de stations intermédiaires, p.ex. pour connecter et déconnecter
CPC
H03F 1/26
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
H03F 2200/294
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
294the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
H03F 2200/372
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
372Noise reduction and elimination in amplifier
H03F 7/04
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
7Parametric amplifiers
04using variable-capacitance element; using variable-permittivity element
H03G 1/0023
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
GCONTROL OF AMPLIFICATION
1Details of arrangements for controlling amplification
0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
0017the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
0023in emitter-coupled or cascode amplifiers
H04B 1/0475
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
02Transmitters
04Circuits
0475with means for limiting noise, interference or distortion
Déposants
  • OCTOTECH, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • GORBACHOV, O
Mandataires
  • KARICH, Eric
Données relatives à la priorité
62/776,29306.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) RF RECEIVER ARCHITECTURES WITH PARAMETRIC CIRCUITS
(FR) ARCHITECTURES DE RÉCEPTEUR RF AVEC DES CIRCUITS PARAMÉTRIQUES
Abrégé
(EN)
An RF receiver circuit configuration and design is limited by conditions and frequencies to simultaneously provide steady state low-noise signal amplification, frequency down- conversion, and image signal rejection. The RF receiver circuit may be implemented as one of a CMOS single chip device or as part of an integrated system of CMOS components.
(FR)
Une configuration et une conception d’un circuit récepteur RF sont limitées par des conditions et des fréquences pour fournir simultanément une amplification de signal à faible bruit à l’état stable, une conversion descendante de fréquence et un affaiblissement de signal d’image. Le circuit récepteur RF peut être mis en œuvre en tant que dispositif à une seule puce CMOS ou en tant que système intégré de composants CMOS.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international