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1. WO2020117939 - APPAREIL ET TECHNIQUES DE GRAVURE INCLINÉE À L'AIDE D'UNE SOURCE D'EXTRACTION À ÉLECTRODES MULTIPLES

Numéro de publication WO/2020/117939
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/064475
Date du dépôt international 04.12.2019
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
G02B 5/1857
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
18Diffraction gratings
1847Manufacturing methods
1857using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
H01J 2237/3341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
3341Reactive etching
H01J 37/32541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32541Shape
H01J 37/32568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KURUNCZI, Peter F.
  • EVANS, Morgan
  • OLSON, Joseph
Mandataires
  • CHAMBERLAIN, Jeffrey
  • ROY, Ronnen A.
Données relatives à la priorité
62/776,72207.12.2018US
62/776,73407.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND TECHNIQUES FOR ANGLED ETCHING USING MULTIELECTRODE EXTRACTION SOURCE
(FR) APPAREIL ET TECHNIQUES DE GRAVURE INCLINÉE À L'AIDE D'UNE SOURCE D'EXTRACTION À ÉLECTRODES MULTIPLES
Abrégé
(EN)
A plasma source may include a plasma chamber, where the plasma chamber has a first side, defining a first plane and an extraction assembly, disposed adjacent to the side of the plasma chamber, where the extraction assembly includes at least two electrodes. A first electrode may be disposed immediately adjacent the side of the plasma chamber, wherein a second electrode defines a vertical displacement from the first electrode along a first direction, perpendicular to the first plane, wherein the first electrode comprises a first aperture, and the second electrode comprises a second aperture. The first aperture may define a lateral displacement from the second aperture along a second direction, parallel to the first plane, wherein the vertical displacement and the lateral displacement define a non-zero angle of inclination with respect to a perpendicular to the first plane.
(FR)
L'invention concerne une source de plasma qui peut comprendre une chambre à plasma, la chambre à plasma ayant un premier côté, définissant un premier plan et un ensemble d'extraction, disposé adjacent au côté de la chambre à plasma, l'ensemble d'extraction comprenant au moins deux électrodes. Une première électrode peut être disposée immédiatement adjacente au côté de la chambre à plasma, une seconde électrode définissant un déplacement vertical à partir de la première électrode le long d'une première direction, perpendiculaire au premier plan, la première électrode comprenant une première ouverture, et la seconde électrode comprenant une seconde ouverture. La première ouverture peut définir un déplacement latéral à partir de la seconde ouverture le long d'une seconde direction, parallèle au premier plan, le déplacement vertical et le déplacement latéral définissant un angle d'inclinaison non nul par rapport à une perpendiculaire au premier plan.
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