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1. WO2020117686 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EFFECTUANT UNE OPÉRATION DE RAFRAÎCHISSEMENT D'ATTAQUES RÉPÉTÉES

Numéro de publication WO/2020/117686
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/064028
Date du dépôt international 02.12.2019
CIB
G11C 11/406 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
406Organisation ou commande des cycles de rafraîchissement ou de régénération de la charge
G11C 11/408 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
408Circuits d'adressage
G06F 3/06 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
06Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
CPC
G11C 11/40615
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
40615Internal triggering or timing of refresh, e.g. hidden refresh, self refresh, pseudo-SRAMs
G11C 11/4076
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4076Timing circuits
G11C 11/4087
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
408Address circuits
4087Address decoders, e.g. bit - or word line decoders; Multiple line decoders
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • ISHIKAWA, Toru
  • NAKANISHI, Takuya
  • BESSHO, Shinji
Mandataires
  • ENG, Kimton
  • ANDKEN, Kerry Lee
  • QUECAN, Andrew F.
  • ITO, Mika
  • HEGSTROM, Brandon
  • MA, Yue Matthew
  • STERN, Ronald
  • MEIKLEJOHN, Paul T.
  • SPAITH, Jennifer
  • ORME, Nathan
  • CORDRAY, Michael S.
Données relatives à la priorité
16/208,21703.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PERFORMING ROW HAMMER REFRESH OPERATION
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EFFECTUANT UNE OPÉRATION DE RAFRAÎCHISSEMENT D'ATTAQUES RÉPÉTÉES
Abrégé
(EN)
Disclosed herein is an apparatus that includes a memory ceil array including a plurality of word lines each coupled to a plurality of memory cells, and a control circuit configured to activate first and second internal signals in a time-division manner in response to a first external command. A first number of the word lines are selected in response to the first internal signal, and a second number of the word line is selected in response to the second internal signal, the second number is smaller than the first number.
(FR)
L'invention concerne un appareil qui comprend un réseau de cellules de mémoire comprenant une pluralité de lignes de mots, chacune couplée à une pluralité de cellules de mémoire, et un circuit de commande configuré pour activer des premier et second signaux internes selon une répartition dans le temps en réponse à une première commande externe. Un premier nombre de lignes de mots est sélectionné en réponse au premier signal interne, et un second nombre de lignes de mots est sélectionné en réponse au second signal interne, le second nombre étant inférieur au premier nombre.
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