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1. WO2020117503 - GRAVURE DE CARACTÉRISTIQUES D'ISOLATION ET DE CARACTÉRISTIQUES DENSES À L'INTÉRIEUR D'UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/117503
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062862
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • SHOEB, Juline
  • PATERSON, Alexander, Miller
  • WU, Ying
Mandataires
  • PATEL, Nishitkumar, V.
  • PENILLA, Albert, S.
Données relatives à la priorité
62/775,73505.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING ISOLATION FEATURES AND DENSE FEATURES WITHIN A SUBSTRATE
(FR) GRAVURE DE CARACTÉRISTIQUES D'ISOLATION ET DE CARACTÉRISTIQUES DENSES À L'INTÉRIEUR D'UN SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
Systems and methods for etching different features in a substantially equal manner are described. One of the methods includes applying a low frequency bias signal during a low TCP state and applying a high frequency bias signal during a high TCP state. The application of the low frequency bias signal during the low TCP state facilitates generation of hot neutrals, which are used to increase an etch rate of etching dense features compared to an etch rate for etching isolation features. The application of the high frequency bias signal during the high TCP state facilitates generation of ions to increase an etch rate of etching the isolation features compared to an etch rate of etching the dense features. After applying the low frequency bias signal during the low TCP state and the high frequency bias signal during the high TCP state, the isolation and dense features are etched similarly.
(FR)
L'invention concerne des systèmes et des procédés de gravure de différentes caractéristiques d'une manière sensiblement égale. L'un des procédés consiste à appliquer un signal de polarisation basse fréquence pendant un état de TCP faible et à appliquer un signal de polarisation haute fréquence pendant un état de TCP élevé. L'application du signal de polarisation basse fréquence pendant l'état de TCP faible facilite la génération de neutres chauds, qui sont utilisés pour augmenter un taux de gravure pour la gravure de caractéristiques denses par rapport à un taux de gravure pour des caractéristiques d'isolation de gravure. L'application du signal de polarisation haute fréquence pendant l'état de TCP élevé facilite la génération d'ions pour augmenter un taux de gravure pour la gravure des caractéristiques d'isolation par rapport à un taux de gravure pour la gravure des éléments denses. Après application du signal de polarisation basse fréquence pendant l'état de TCP faible et le signal de polarisation haute fréquence pendant l'état de TCP élevé, les caractéristiques d'isolation et les caractéristiques denses sont gravées de manière similaire.
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