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1. WO2020116618 - PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, UNITÉ SUSCEPTEUR, ET ENSEMBLE ENTRETOISE UTILISÉ DANS UNE UNITÉ SUSCEPTEUR

Numéro de publication WO/2020/116618
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047840
Date du dépôt international 06.12.2019
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C23C 16/458 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
458caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/52 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
52Commande ou régulation du processus de dépôt
CPC
C23C 16/458
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
Déposants
  • 株式会社ニューフレアテクノロジー NUFLARE TECHNOLOGY, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 醍醐 佳明 DAIGO, Yoshiaki
Mandataires
  • 蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi
  • 野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa
  • 井上 正 INOUE, Tadashi
  • 河野 直樹 KOHNO, Naoki
Données relatives à la priorité
2018-22982507.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FILM FORMATION METHOD, FILM FORMATION DEVICE, SUSCEPTOR UNIT, AND SPACER SET USED IN SUSCEPTOR UNIT
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, UNITÉ SUSCEPTEUR, ET ENSEMBLE ENTRETOISE UTILISÉ DANS UNE UNITÉ SUSCEPTEUR
(JA) 成膜方法、成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット
Abrégé
(EN)
This film formation method includes: the placement of a wafer on a susceptor unit that includes a support member for mounting the wafer, a side surface guide that is provided upon the support member and surrounds at least part of the outer circumference of the wafer, and a spacer for adjusting the position of the upper surface of the wafer and the upper surface of the side surface guide; the formation of a prescribed film on the upper surface of the mounted wafer and the formation of a film upon the side surface guide; the adjustment of the position of the upper surface of the side surface guide relative to the upper surface of the wafer, using the spacer and on the basis of the thickness of the prescribed film that has been formed; and the mounting of a new wafer on the position-adjusted susceptor unit and the formation of a new prescribed film.
(FR)
La présente invention porte sur un procédé de formation de film consistant : à placer une tranche sur une unité suscepteur dotée d'un élément de support servant au montage de la tranche, d'un guide de surface latérale qui est disposé sur l'élément de support et qui entoure au moins une partie de la circonférence externe de la tranche, et d'une entretoise servant à régler la position de la surface supérieure de la tranche et de la surface supérieure du guide de surface latérale ; à former un film prescrit sur la surface supérieure de la tranche montée et à former un film sur le guide de surface latérale ; à régler, à l'aide de l'entretoise et en fonction de l'épaisseur du film prescrit qui a été formé, la position de la surface supérieure du guide de surface latérale par rapport à la surface supérieure de la tranche ; et à monter une nouvelle tranche sur l'unité suscepteur à position réglée et à former un nouveau film prescrit.
(JA)
成膜方法は、ウェハを載置するための支持部材と、前記支持部材上に設けられ前記ウェハの外周の少なくとも一部を囲む側面ガイドと、前記ウェハの上面と前記側面ガイドの上面との位置を調整するためのスペーサと、を含むサセプタユニット上に前記ウェハを載置することと、載置された前記ウェハの上面に所定の膜を成膜するとともに前記側面ガイド上に膜を形成することと、 成膜された前記所定の膜の厚さに基づいて、前記スペーサを用いて前記ウェハの上面に対する前記側面ガイドの上面の位置を調整することと、前記位置が調整された前記サセプタユニット上に新たなウェハを載置して、新たな所定の膜を成膜すること、を含む。
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