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1. WO2020116397 - MOULE DE RÉPLIQUE POUR EMPREINTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2020/116397
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047048
Date du dépôt international 02.12.2019
CIB
B32B 27/30 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
30comprenant une résine vinylique; comprenant une résine acrylique
C08F 290/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
290Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des polymères modifiés par introduction de groupes aliphatiques non saturés terminaux ou latéraux
02sur des polymères modifiés par introduction de groupes non saturés terminaux
06Polymères prévus par la sous-classe C08G54
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
B29C 33/38 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
33Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires
38caractérisés par la matière ou le procédé de fabrication
B29C 33/56 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
33Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires
56Revêtements; Agents de démoulage, de lubrification ou de séparation
B29C 59/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
59Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
02par des moyens mécaniques, p.ex. par pressage
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小林 淳平 KOBAYASHI, Junpei
  • 加藤 拓 KATO, Taku
  • 長澤 偉大 NAGASAWA, Takehiro
Mandataires
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
Données relatives à la priorité
2018-22974707.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) REPLICA MOLD FOR IMPRINTING AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MOULE DE RÉPLIQUE POUR EMPREINTE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) インプリント用レプリカモールド及びその作製方法
Abrégé
(EN)
[Problem] To provide a novel replica mold for imprinting. [Solution] A replica mold for imprinting, which is provided with a layer A described below and a layer B described below, said layer B being bonded to the layer A. Layer A: a structure which is formed of a cured product of a composition that contains the following component (a1) and component (a2) Component (a1): a compound which has at least one radically polymerizable group in each molecule Component (a2): a radical photopolymerization initiator in an amount of from 0.01% by mass to 0.3% by mass relative to 100% by mass of the component (a1) Layer B: a film which is formed of a cured product of a composition that contains the following component (b1) and component (b2) Component (b1): a compound which is composed of a linear or chain-like molecular chain containing a fluorine atom, and which has a radically polymerizable group at all terminals of the molecular chain Component (b2): a radical photopolymerization initiator in an amount of from 0.05% by mass to 15% by mass relative to 100% by mass of the component (b1)
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir un nouveau moule de réplique pour empreinte. La solution selon l'invention porte sur un moule de réplique pour empreinte, qui est pourvu d'une couche (A) décrite ci-dessous et d'une couche (B) décrite ci-dessous, ladite couche (B) étant liée à la couche (A). Couche (A) : une structure qui est formée d'un produit durci d'une composition qui contient le composant suivant (a1) et le composant suivant (a2). Composant (a1) : un composé qui a au moins un groupe polymérisable par voie radicalaire dans chaque molécule. Composant (a2) : un initiateur de photopolymérisation radicalaire à hauteur de 0,01 % en masse à 0,3 % en masse par rapport à 100 % en masse du composant (a1). Couche (B) : un film qui est formé d'un produit durci d'une composition qui contient le composant suivant (b1) et le composant suivant (b2). Composant (b1) : un composé qui est composé d'une chaîne moléculaire linéaire ou de type chaîne contenant un atome de fluor et qui a un groupe polymérisable par voie radicalaire à toutes les terminaisons de la chaîne moléculaire. Composant (b2) : un initiateur de photopolymérisation radicalaire à hauteur de 0,05 % en masse à 15 % en masse par rapport à 100 % en masse du composant (b1).
(JA)
【課題】 新規なインプリント用レプリカモールドを提供する。 【解決手段】 下記A層及び該A層に接着した下記B層を備えたインプリント用レプリカモールド。 A層:下記(a1)成分及び(a2)成分を含む組成物の硬化物から成る構造体 (a1)成分:ラジカル重合性基を1分子中に少なくとも1つ有する化合物 (a2)成分:前記(a1)成分100質量%に対し、0.01質量%乃至0.3質量%の光ラジカル重合開始剤 B層:下記(b1)成分及び(b2)成分を含む組成物の硬化物から成る膜 (b1)成分:フッ素原子を含む線状又は鎖状の分子鎖からなる化合物であって該分子鎖の全ての末端にラジカル重合性基を有する化合物 (b2)成分:前記(b1)成分100質量%に対し、0.05質量%乃至15質量%の光ラジカル重合開始剤
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